IRF7301TR 时间：2025/5/20 20:47:50 阅读：1

IRF7301TR 是一款由 Vishay 公司生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TSSOP-8 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中。
　　该器件通过将两个独立的 MOSFET 集成到一个封装内，简化了电路设计并节省了空间。同时，其优异的电气特性和可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

型号：IRF7301TR
　　类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　封装：TSSOP-8
　　漏源极电压(Vds)：30V
　　栅源极电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4.9A(单个 MOSFET)
　　脉冲漏极电流：16A
　　导通电阻(Rds(on))：8mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷(Qg)：25nC
　　总功耗(Ptot)：1.4W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

IRF7301TR 的主要特性包括：
　　1. 双通道设计，集成两个独立的 N 沟道 MOSFET，在单一封装内实现多种功能。
　　2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 8mΩ，显著降低了传导损耗，提高了效率。
　　3. 高速开关性能，适用于高频应用场合。
　　4. 小型化 TSSOP-8 封装，适合对空间要求较高的紧凑型设计。
　　5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，确保在极端环境下稳定运行。
　　6. 提供过热保护和短路保护功能，增强了系统的安全性和可靠性。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。

应用

IRF7301TR 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
　　2. 电池管理系统(BMS) 中的负载开关和保护电路。
　　3. 工业自动化设备中的电机驱动和继电器替代方案。
　　4. 消费类电子产品如智能手机和平板电脑中的充电接口保护。
　　5. LED 照明驱动电路中的恒流控制。
　　6. 通信设备中的信号切换和功率放大。
　　7. 任何需要高性能、小尺寸 MOSFET 的应用场景。