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IS41C16105C-50TLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:28:21 查看 阅读:15

IS41C16105C-50TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为1MB(128K x 8)。该器件采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要高速访问和低功耗的应用场景。

参数

容量:128K x 8(1MB)
  访问时间:50ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据宽度:8位
  引脚数量:54

特性

IS41C16105C-50TLI具有高速访问时间(50ns),适合用于需要快速数据存取的应用。该SRAM器件采用低功耗CMOS技术,有助于在高频率运行时降低功耗。此外,它提供宽温度范围(-40°C至+85°C),适合工业环境中的应用。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用,提高集成度。
  这款SRAM器件具备良好的可靠性和稳定性,适用于通信设备、工业控制系统、网络设备以及各种嵌入式系统。它的异步设计允许其与多种控制器或处理器配合使用,而无需复杂的时钟同步机制。
  IS41C16105C-50TLI的高抗噪能力和稳定的输出控制使其在电磁干扰较大的环境中也能可靠运行。此外,该器件具有较长的使用寿命和良好的数据保持能力,即使在频繁读写操作下也能保持稳定性能。

应用

IS41C16105C-50TLI广泛应用于网络设备、通信系统、工业自动化、嵌入式系统、图形处理器、测试设备以及高性能计算机外围设备等领域。它适用于需要高速缓存或临时数据存储的场景,例如缓冲存储器、系统缓存或图像数据存储。

替代型号

IS42C16105C-50TLI, CY62167EV30LL-55SXI, IDT71V416S08TG

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IS41C16105C-50TLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术DRAM - FP
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装54-TSOP II