KHB019N20P1 时间：2025/12/28 15:19:40 阅读：7

KHB019N20P1是一款功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率和高频率的电子电路中。该器件采用先进的半导体技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等多种应用场景。KHB019N20P1采用TO-263封装，便于散热，适合在高电流和高温环境下工作。

参数

类型：功率MOSFET
　　极性：N沟道
　　最大漏极电流：19A
　　最大漏-源电压：200V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.19Ω
　　栅极阈值电压：2V-4V
　　最大功率耗散：83W
　　封装形式：TO-263
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

KHB019N20P1具备多项优良特性，确保其在各种高功率应用中稳定运行。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高能效。其次，高漏极击穿电压（200V）使其适用于高电压工作环境，提供良好的过压保护。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和良好的瞬态响应能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。TO-263封装设计不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度和安装便利性。该器件的栅极驱动电压范围适中（2V-4V），兼容常见的驱动电路，便于集成到各种系统中。最后，其高可靠性和长寿命特性，使其在汽车电子、工业控制和电源管理系统中具有广泛的应用前景。

应用

KHB019N20P1广泛应用于多种高功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化控制系统。此外，它还适用于需要高电压和高电流处理能力的场合，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动工具控制器。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和电动车辆的电池管理系统中，确保高可靠性和高效能的运行表现。