晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：150mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：110至800（根据等级）
　　封装类型：SOT-23

2SD669G-C-TN3-R 晶体管具备多项高性能特性，适合广泛的应用场景。首先，其NPN结构和30V的VCEO额定电压使其能够处理中等功率的信号，同时具备较高的耐压能力。其次，该晶体管的增益带宽积达到100MHz，支持高频放大应用，适用于射频和中频电路的设计。此外，其直流电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，提供了多种增益等级选择，满足不同电路对放大倍数的需求。
　　该晶体管的噪声系数较低，有助于提高放大器的信噪比，特别适合用于前置放大器和信号接收模块。SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热稳定性和机械强度，适合在空间受限的电路板上使用。另外，2SD669G-C-TN3-R 的最大功耗为150mW，在连续工作条件下具有较高的可靠性，同时减少了散热设计的复杂性。
　　该器件的工作温度范围较宽，通常支持-55°C至+150°C的工业级温度范围，使其能够在恶劣环境中稳定运行。此外，其快速开关特性也使其适用于数字电路中的高速开关应用。

2SD669G-C-TN3-R 主要用于高频放大、射频（RF）前端模块、中频（IF）放大器、混频器、振荡器以及信号调理电路。它广泛应用于通信设备、无线模块、GPS接收器、蓝牙模块、Wi-Fi模块和便携式测试仪器等电子产品中。此外，该晶体管也可用于音频放大电路的前置级，以提高信号的增益和稳定性。在工业自动化和传感器系统中，该器件也可用于信号放大和开关控制。

2N3904, BC547, 2SC3815