时间：2025/10/8 0:01:34
阅读：6
UBX1V221MHL是一款由松下（Panasonic）公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于松下Ubiquitous系列，专为高可靠性、高性能应用设计，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备中。这款电容具有较高的体积效率，能够在有限的空间内提供较大的电容量，适用于现代电子产品对小型化和高集成度的需求。其额定电容值为220μF，额定电压为2.5V DC，采用X5R温度特性介电材料，确保在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持稳定的电气性能。UBX1V221MHL采用标准的表面贴装（SMD）封装形式，尺寸为7343（公制：1812），便于自动化贴片生产，提高组装效率。
作为一款高容值的陶瓷电容器，UBX1V221MHL在电源去耦、噪声滤波、旁路和储能等电路中发挥关键作用。特别是在需要低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）的应用中，该器件表现出优异的高频响应特性，有助于提升电源系统的稳定性和抗干扰能力。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代绿色电子产品的制造要求。松下通过严格的质量控制体系保证该系列产品的长期可靠性和一致性，适合用于对稳定性要求较高的应用场景。
电容值：220μF
额定电压：2.5V DC
温度特性：X5R
电容容差：±20%
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
尺寸（英制）：7343
尺寸（公制）：1812
介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
安装类型：表面贴装（SMD）
等效串联电阻（ESR）：典型值约10mΩ（频率依赖）
等效串联电感（ESL）：典型值约0.5nH
老化率：≤2.5% / decade hour
直流偏压特性：随电压升高电容值下降（需参考具体曲线）
耐湿性：符合IEC 61000-4-2标准
焊接耐热性：符合J-STD-020回流焊规范
UBX1V221MHL具备出色的电容稳定性与温度适应能力，其采用X5R类电介质材料，在-55°C到+85°C的宽温度区间内，电容值的变化不超过±15%，远优于Z5U或Y5V等类别，适用于对电容稳定性要求较高的电源管理电路。该特性使其能够在不同环境条件下维持电路性能的一致性，避免因温度波动引起的系统异常。同时，X5R材料还具有较低的老化速率，通常每10小时老化不超过2.5%，确保长时间运行下的参数稳定性。
该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频去耦和瞬态响应场景中表现优异。例如，在数字IC的电源引脚附近使用时，能有效吸收高频噪声和电流突变，防止电压跌落，提升系统稳定性。低ESR也意味着更小的功率损耗和发热，提高了整体能效。
UBX1V221MHL采用先进的叠层陶瓷工艺制造，内部由多个交错的陶瓷层和金属电极构成，形成平行板电容器阵列，从而实现大电容值与小体积的结合。其1812（7343）封装在同类高容值MLCC中具有较好的机械强度和焊接可靠性，减少了因热应力或机械振动导致的开裂风险。此外，产品经过严格的端电极处理，外电极为三层电镀结构（Ni/Sn），增强了可焊性和耐腐蚀性，适用于自动贴片生产线和无铅回流焊工艺。
该电容器还具备良好的直流偏压特性，尽管随着施加电压接近额定值，电容值会有所下降，但在2.5V工作电压下仍能保持较高有效容量，适合用于低压大电流电源轨的滤波。松下提供的技术文档中通常包含详细的DC偏压曲线，供设计人员评估实际工作条件下的性能表现。
UBX1V221MHL常用于各类需要高密度电容滤波和瞬态响应支持的电子系统中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容被广泛应用于处理器核心电源（Core CPU/GPU VDD）、I/O电源的去耦网络，以应对高速开关带来的电流尖峰和电压波动。其低ESR和小尺寸优势特别适合空间受限但性能要求高的主板布局。
在通信模块中，例如Wi-Fi、蓝牙或5G射频前端电源管理单元，UBX1V221MHL可用于稳定供电电压，抑制高频噪声传播，保障信号完整性。此外，在FPGA、ASIC和微控制器的电源系统中，该器件常作为bulk电容与小容值陶瓷电容并联使用，形成多级滤波结构，兼顾低频储能与高频响应需求。
工业控制设备和汽车电子系统（非动力域）中，该电容可用于DC-DC转换器输出端的平滑滤波，提升电源转换效率并降低纹波电压。虽然其额定电压仅为2.5V，限制了高压应用，但在3.3V或更低电压系统的次级稳压电路中仍具有重要价值。此外，测试测量仪器、医疗电子设备等对长期稳定性要求较高的领域也会选用此类高可靠性MLCC以确保系统持续稳定运行。
GRM55U7C221MAHSN
CLT5A221MC-LB
C2012X5R1E221K
