IS34ML01G084-TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用先进的工艺技术制造,适用于需要高可靠性和快速访问时间的应用场景。
该器件提供1Mb的存储容量,并以组织形式为128K x 8位。其工作电压范围较宽,能够在单电源下运行,同时支持多种工业标准的接口协议。IS34ML01G084-TLI具有较低的功耗特性和较快的数据访问速度,非常适合于嵌入式系统、网络设备以及消费类电子产品的应用。
存储容量:1Mb
组织形式:128K x 8
数据宽度:8位
工作电压:1.65V至3.6V
访问时间:10ns/20ns
封装类型:TQFP48
工作温度范围:-40°C至+85°C
I/O电压:1.65V至3.6V
1. 超低功耗设计,适合电池供电设备。
2. 快速访问时间,支持高速数据处理。
3. 宽工作电压范围,提高设计灵活性。
4. 高可靠性,在恶劣环境下仍能稳定运行。
5. 符合JEDEC标准,易于集成到现有系统中。
6. 具有自动掉电模式,进一步降低待机功耗。
7. 支持同步和异步操作模式,适应更多应用场景。
1. 嵌入式处理器缓存。
2. 网络通信设备中的临时数据存储。
3. 消费类电子产品中的图像处理缓存。
4. 工业控制系统的实时数据存储。
5. 医疗设备中的关键数据保存。
6. 游戏机和其他高性能计算设备中的快速数据交换缓冲区。
IS61LV25616ALL, CY7C1041BV33, AS6C1008