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IS34ML01G084-TLI 发布时间 时间:2025/5/10 9:28:48 查看 阅读:9

IS34ML01G084-TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用先进的工艺技术制造,适用于需要高可靠性和快速访问时间的应用场景。
  该器件提供1Mb的存储容量,并以组织形式为128K x 8位。其工作电压范围较宽,能够在单电源下运行,同时支持多种工业标准的接口协议。IS34ML01G084-TLI具有较低的功耗特性和较快的数据访问速度,非常适合于嵌入式系统、网络设备以及消费类电子产品的应用。

参数

存储容量:1Mb
  组织形式:128K x 8
  数据宽度:8位
  工作电压:1.65V至3.6V
  访问时间:10ns/20ns
  封装类型:TQFP48
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  I/O电压:1.65V至3.6V

特性

1. 超低功耗设计,适合电池供电设备。
  2. 快速访问时间,支持高速数据处理。
  3. 宽工作电压范围,提高设计灵活性。
  4. 高可靠性,在恶劣环境下仍能稳定运行。
  5. 符合JEDEC标准,易于集成到现有系统中。
  6. 具有自动掉电模式,进一步降低待机功耗。
  7. 支持同步和异步操作模式,适应更多应用场景。

应用

1. 嵌入式处理器缓存。
  2. 网络通信设备中的临时数据存储。
  3. 消费类电子产品中的图像处理缓存。
  4. 工业控制系统的实时数据存储。
  5. 医疗设备中的关键数据保存。
  6. 游戏机和其他高性能计算设备中的快速数据交换缓冲区。

替代型号

IS61LV25616ALL, CY7C1041BV33, AS6C1008

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IS34ML01G084-TLI产品

IS34ML01G084-TLI参数

  • 现有数量791现货
  • 价格1 : ¥40.54000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I