晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（具体取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

LMBT5111LT1G晶体管具有多种显著特性，使其适用于多种电子设计场景。首先，其高电流增益（hFE）范围为110至800，能够根据不同的工作电流条件提供稳定的放大性能。这意味着该晶体管可以在低电流和高电流条件下均表现出色，适用于需要高增益的放大电路和开关应用。
　　其次，该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频条件下仍能保持良好的工作性能。这一特性使其适用于射频放大、高速开关等应用场景。此外，该晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均为50V，具有较强的电压承受能力，适合在中等电压环境中使用。
　　LMBT5111LT1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。这种封装形式也具有良好的热稳定性和机械强度，适用于自动化装配流程。此外，该晶体管的功耗为300mW，能够在低功耗设计中提供可靠的性能。
　　在环境适应性方面，LMBT5111LT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，符合工业级温度标准，适用于各种严苛环境。存储温度范围同样宽广，为-65°C至+150°C，确保在运输和存储过程中不会因温度变化而受损。
　　最后，该晶体管具有较低的基极-发射极开启电压（VBE(on)），通常在0.7V左右，使其能够与多种逻辑电平兼容，便于集成到数字控制电路中。

LMBT5111LT1G晶体管因其优异的性能和小型封装，广泛应用于多个电子领域。首先，在数字电路中，它常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，提供快速的开关响应和低功耗特性。此外，它也适用于逻辑电平转换、继电器驱动、LED驱动和继电器控制等应用场景。
　　在模拟电路中，该晶体管可用于音频放大器的前置放大级，提供高增益和低噪声性能。同时，由于其高频特性，也可用于射频信号放大和调制电路中。
　　在电源管理领域，LMBT5111LT1G可用于低功率电源开关、电池管理系统和DC-DC转换器中的控制电路部分。由于其SOT-23封装的小巧尺寸，非常适合在便携式设备中使用，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　此外，该晶体管也广泛应用于工业控制系统的传感器接口电路、继电器驱动电路以及自动化设备中的信号处理模块。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT5111, PN2222A