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IS25WP512M-JLLE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:14:25 查看 阅读:54

IS25WP512M-JLLE-TR 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的串行闪存(Serial NOR Flash)芯片,容量为512Mb(64MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片广泛应用于需要大容量存储和高速数据访问的嵌入式系统中,如网络设备、工业控制系统、通信模块和消费类电子产品。

参数

容量:512Mb
  接口类型:SPI
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  读取频率:最大 104MHz
  编程/擦除电压:3V
  封装类型:8-Pin SOIC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IS25WP512M-JLLE-TR 具备多项先进的功能,使其适用于多种高性能应用。首先,该芯片支持高速SPI接口,数据传输速率可高达104MHz,满足需要快速访问的系统需求。其次,其低功耗设计在待机模式下的电流消耗极低,非常适合电池供电设备和节能型应用。此外,该器件具备高可靠性和耐用性,其擦写次数可达100,000次以上,数据保存时间长达20年。芯片内部采用块保护机制,支持软件和硬件写保护功能,有效防止数据误写或损坏。此外,IS25WP512M-JLLE-TR 提供灵活的擦除选项,包括扇区擦除、块擦除以及全片擦除,使得用户可以根据实际需求进行精确的数据管理。最后,该芯片采用8引脚SOIC封装,符合工业标准,便于在各种PCB布局中使用。

应用

IS25WP512M-JLLE-TR 主要用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括固件存储、数据日志记录、图形存储、无线模块配置存储、工业控制器程序存储等。由于其高读取速度和低功耗特性,该芯片也广泛应用于IoT设备、智能仪表、网络路由器、安防摄像头以及汽车电子系统中。在需要快速启动和可靠存储的场景下,IS25WP512M-JLLE-TR 表现出色。

替代型号

IS25WP512M-JLLB-TR, MX25L512EMDI-12G, W25Q512JVFIQ

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IS25WP512M-JLLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥51.63601卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率112 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,1ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)