时间：2025/12/28 19:06:19
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TV50C850JB-G是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET模块，适用于高功率和高频率应用。该器件集成了多个MOSFET芯片，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，广泛应用于工业电机控制、电源转换、UPS系统以及电动汽车充电设备等领域。该模块采用高性能的封装技术，具有良好的热管理和绝缘性能，能够在恶劣环境下稳定工作。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：500A
漏源击穿电压（VDS）：850V
导通电阻（RDS(on)）：约20mΩ
封装形式：双列直插式（Dual-in-line）模块封装
工作温度范围：-40°C至+150°C
栅极驱动电压：+10V至+20V
最大功耗：约200W
TV50C850JB-G采用先进的MOSFET芯片技术，具备优异的导通和开关性能。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。模块内部集成了多个并联的MOSFET芯片，增强了电流承载能力，并通过优化的布局设计降低了寄生电感，提高了高频开关性能。此外，该模块采用高绝缘等级的封装材料，确保在高电压和高湿度环境下仍能保持稳定工作。模块还具备良好的散热性能，能够通过散热器快速将热量导出，从而提高器件的可靠性和使用寿命。
该模块广泛应用于高功率电源转换设备，如工业变频器、UPS不间断电源、电焊机、电动车充电系统以及可再生能源系统中的DC-AC逆变器。由于其优异的导热性能和稳定的电气特性，TV50C850JB-G也非常适合用于电机驱动和负载开关控制等场合。此外，在需要高效率和高可靠性的电源管理系统中，该模块也是理想的选择之一。
SKM500GB085D、IXYS IXGN500R085B、Infineon FS500R08W1K7_B11、Mitsubishi CM500DY-24A
