类型：N沟道JFET
　　封装形式：TO-39
　　最大漏源电压（VDS）：400 V
　　最大栅源电压（VGS）：-40 V
　　最大漏极电流（ID）：50 mA
　　耗散功率（PD）：1.5 W
　　跨导（gm）：典型值 3000 μS
　　夹断电压（VP）：典型值 -2.5 V 至 -6 V
　　输出电容（Coss）：典型值 6 pF
　　输入电容（Ciss）：典型值 8 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +200°C
　　热阻（θJC）：约 80°C/W

JANTX2N6845的核心特性之一是其高电压耐受能力和出色的热稳定性。该器件的最大漏源电压可达400V，使其能够应用于高压小电流信号处理场合，例如在雷达系统、通信设备或高压传感器接口电路中作为输入级放大元件。其N沟道JFET结构决定了它具有非常高的输入阻抗，通常超过1×10^9欧姆，这使得它几乎不从信号源汲取电流，从而最大限度地减少对前级电路的影响，特别适合用于微弱信号的放大。
　　另一个关键特性是其低噪声性能。相比于双极型晶体管（BJT）或其他类型的场效应管如MOSFET，JFET在低频段尤其是音频和中频范围内表现出更低的噪声系数，因此在高保真前置放大器、精密测量仪器和低电平信号调理电路中具有不可替代的优势。JANTX2N6845在设计上优化了沟道掺杂分布和栅极接触结构，进一步降低了1/f噪声和热噪声，提升了信噪比。
　　该器件还具备优良的温度稳定性。由于其夹断电压和跨导随温度变化较小，在宽温范围内仍能保持稳定的增益和偏置点，避免因温度漂移导致的失真或工作点偏移。这对于需要在极端温度环境下长时间运行的军用电子系统至关重要。同时，TO-39金属封装不仅增强了散热能力，还能有效防止外部电磁干扰，提升系统的抗干扰能力。
　　此外，JANTX2N6845遵循MIL-PRF-19500标准，经过全面的筛选和测试，包括老炼试验（burn-in）、温度循环、密封性检测等，确保每一只器件都达到军用级可靠性水平。这种严格的制造和检验流程保证了产品的一致性和长期可用性，适用于对故障率容忍度极低的关键任务系统。

JANTX2N6845主要用于对可靠性、稳定性和环境适应性要求极高的军事和航空航天电子系统中。其典型应用场景包括高性能模拟前端放大器，特别是在雷达接收机、电子战系统和卫星通信设备中作为第一级低噪声放大器使用。由于其高输入阻抗和低噪声特性，能够有效地放大来自天线或传感器的微弱信号而不引入额外噪声，显著提升系统的灵敏度和动态范围。
　　在精密测试与测量仪器中，JANTX2N6845常被用于构建高精度电压跟随器、积分器或差分放大电路。这类应用往往要求器件具有极低的失调漂移和长期稳定性，而该器件的温度特性和老化特性完全满足这些需求。此外，在高压电源控制系统或工业自动化设备中，它可以作为高压侧驱动或反馈采样电路的一部分，利用其高耐压能力实现安全可靠的信号隔离与传输。
　　在航空航天领域，该器件可用于飞行控制系统、导航设备和遥测数据采集模块中，承担小信号调理和缓冲功能。其金属封装和军规级可靠性使其能够承受火箭发射过程中的剧烈振动、太空环境下的辐射以及高低温交变应力，确保航天器电子系统的持续正常运行。
　　此外，JANTX2N6845也适用于某些高端音频设备或科研仪器中，特别是那些追求极致音质或超高精度模拟信号处理的场合。尽管成本较高，但在无法接受任何故障风险的关键系统中，其价值远超普通商用器件。

JANTXV2N6845
　　JANS2N6845
　　2N6845SC