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IS25WP080D-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/4/25 15:51:18 查看 阅读:31

IS25WP080D-JNLE-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高性能串行 NAND 闪存芯片,采用 8 引脚 WSON 封装。该器件提供 1Gb(128MB)的存储容量,并支持高速 SPI 接口协议。其主要特点包括低功耗、高可靠性以及快速数据传输能力,适用于消费电子、工业控制和物联网等领域的嵌入式系统。

参数

存储容量:1Gb (128MB)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:8 引脚 WSON
  数据保持时间:10 年
  擦写寿命:100K 次

特性

IS25WP080D-JNLE-TR 提供高效的存储解决方案,具备以下特性:
  1. 支持标准 SPI 和 Dual I/O 协议,实现更高的数据吞吐量。
  2. 内置 ECC(错误校正码)引擎,确保数据的完整性和可靠性。
  3. 具有灵活的块管理和坏块处理机制,优化存储性能。
  4. 提供多种保护功能,如软件写保护和硬件写保护,增强数据安全性。
  5. 超低功耗设计,待机电流小于 1μA,适合电池供电设备。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  7. 支持页编程和连续读取操作,简化系统设计和提升效率。

应用

IS25WP080D-JNLE-TR 主要应用于需要大容量、低功耗和高可靠性的存储场景,包括但不限于以下领域:
  1. 消费类电子产品,例如数码相机、机顶盒和智能音响。
  2. 工业自动化设备中的固件存储和数据记录。
  3. 物联网设备的数据日志和配置文件保存。
  4. 网络通信设备中的引导代码和临时数据存储。
  5. 医疗设备中对关键数据的长期保存。

替代型号

IS25WP080D-GMLE-TR, IS25WP080D-JNLI-TR

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IS25WP080D-JNLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥4.63943卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC