IS25WP080D-JNLE-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高性能串行 NAND 闪存芯片,采用 8 引脚 WSON 封装。该器件提供 1Gb(128MB)的存储容量,并支持高速 SPI 接口协议。其主要特点包括低功耗、高可靠性以及快速数据传输能力,适用于消费电子、工业控制和物联网等领域的嵌入式系统。
存储容量:1Gb (128MB)
接口类型:SPI
工作电压:2.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:8 引脚 WSON
数据保持时间:10 年
擦写寿命:100K 次
IS25WP080D-JNLE-TR 提供高效的存储解决方案,具备以下特性:
1. 支持标准 SPI 和 Dual I/O 协议,实现更高的数据吞吐量。
2. 内置 ECC(错误校正码)引擎,确保数据的完整性和可靠性。
3. 具有灵活的块管理和坏块处理机制,优化存储性能。
4. 提供多种保护功能,如软件写保护和硬件写保护,增强数据安全性。
5. 超低功耗设计,待机电流小于 1μA,适合电池供电设备。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
7. 支持页编程和连续读取操作,简化系统设计和提升效率。
IS25WP080D-JNLE-TR 主要应用于需要大容量、低功耗和高可靠性的存储场景,包括但不限于以下领域:
1. 消费类电子产品,例如数码相机、机顶盒和智能音响。
2. 工业自动化设备中的固件存储和数据记录。
3. 物联网设备的数据日志和配置文件保存。
4. 网络通信设备中的引导代码和临时数据存储。
5. 医疗设备中对关键数据的长期保存。
IS25WP080D-GMLE-TR, IS25WP080D-JNLI-TR