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IS25LQ040B-JVLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:45:17 查看 阅读:20

IS25LQ040B-JVLE-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的串行闪存(Serial Flash)芯片,容量为4Mbit(512KB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)协议进行通信。该芯片广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中,例如存储固件、配置数据、代码引导等。IS25LQ040B-JVLE-TR采用8引脚SOIC封装,工作温度范围为工业级-40°C至+85°C,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

容量:4Mbit(512KB)
  接口:SPI(最大频率可达80MHz)
  电压范围:2.3V至3.6V
  工作温度:-40°C至+85°C
  封装类型:8-SOIC
  存储单元组织:每页256字节,共256页,共4096块(每块128字节)
  写保护功能:支持硬件写保护(WP引脚)和软件写保护
  状态寄存器:支持读写操作,用于控制写保护和指示忙状态
  支持高速连续读取模式
  支持掉电模式(低功耗待机)

特性

IS25LQ040B-JVLE-TR具备多种实用特性,使其在嵌入式系统中具有良好的适用性。首先,该芯片支持标准SPI接口,兼容广泛使用的微控制器和FPGA,通信协议简单,便于集成。其次,其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),适应多种电源系统。此外,芯片支持硬件写保护(WP引脚)和软件写保护机制,可有效防止意外写入或擦除,提高数据存储的可靠性。
  在操作模式方面,IS25LQ040B-JVLE-TR支持高速连续读取模式,能够提升代码执行效率,适用于需要快速读取的应用场景。同时,芯片内置状态寄存器,可用于监控芯片当前状态(如是否处于写入或擦除过程中)以及配置写保护区域。此外,该芯片还支持掉电模式,在非工作状态下可大幅降低功耗,适用于对功耗敏感的设计。
  IS25LQ040B-JVLE-TR的存储结构设计合理,分为256页,每页256字节,擦除操作则以128字节为单位,支持灵活的数据更新和管理。结合其工业级温度范围(-40°C至+85°C),该芯片可在多种恶劣环境下稳定运行。

应用

IS25LQ040B-JVLE-TR广泛应用于各种嵌入式系统中,作为非易失性存储介质用于存储固件、配置信息、引导代码等。常见应用包括工业控制设备、智能仪表、医疗设备、消费类电子产品(如智能家电、玩具)、通信模块(如Wi-Fi、蓝牙模块)以及汽车电子系统等。其高速SPI接口和连续读取模式使其特别适用于需要快速加载代码或数据的场合,例如微控制器的外部存储器扩展。此外,其低功耗特性也使其适用于电池供电设备。

替代型号

MX25L4005A, SST25VF040B, W25Q40BV

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