时间：2025/9/2 10:07:24
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H5MS5162EFR-E3M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高密度、高性能的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，提供了较高的存储密度和较低的功耗，适用于需要大量内存支持的应用场景。该芯片封装为TSOP（Thin Small Outline Package），具有较好的稳定性和兼容性。H5MS5162EFR-E3M 通常用于工业级设备、通信设备、嵌入式系统以及计算机外设等需要可靠内存解决方案的场合。
容量：256MB
数据总线宽度：16位
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
时钟频率：最大支持166MHz
刷新周期：64ms
组织结构：16M x 16
H5MS5162EFR-E3M 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片，适用于各种嵌入式系统和工业应用。其16位数据总线宽度能够提供较高的数据传输速率，满足高速处理需求。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具备较宽的电源适应能力，可以在多种电源条件下稳定运行。此外，H5MS5162EFR-E3M 的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的耐温性能，适合在恶劣环境条件下使用。
该DRAM芯片采用了TSOP封装技术，减小了封装尺寸，提高了封装密度，同时降低了信号干扰，增强了电气性能。其64ms的刷新周期确保了数据在断电前的稳定性，降低了数据丢失的风险。H5MS5162EFR-E3M 的设计符合工业级可靠性标准，能够在长期运行的系统中提供稳定可靠的内存支持。
此外，该芯片的组织结构为16M x 16，提供了256MB的存储容量，能够满足中高端嵌入式系统的内存需求。由于其高性能、低功耗和宽电压范围的特点，H5MS5162EFR-E3M 广泛应用于网络设备、工业控制、消费电子以及通信设备等领域。
H5MS5162EFR-E3M 主要用于需要高性能内存支持的嵌入式系统和工业设备。它常被应用于网络路由器、交换机、工业控制板、通信模块以及智能卡终端等设备中。由于其宽温度范围和良好的稳定性，该芯片也适用于汽车电子系统、安防监控设备和手持式终端设备等对可靠性要求较高的应用场景。此外，H5MS5162EFR-E3M 还可作为通用DRAM用于计算机外设、打印机、扫描仪和其他需要大量内存支持的电子设备中。
H5MS5162AFR-E3M, H5MS5162EFR-E2B, HY57V561620BFTP-Y5
