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CSD16401Q5 发布时间 时间:2025/5/6 18:20:53 查看 阅读:11

CSD16401Q5是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的场效应晶体管(FET)。该器件采用增强型氮化镓技术,能够实现更高的开关速度和更低的导通电阻,非常适合用于高频、高效能的应用场景。其设计优化了热性能和电气性能,从而可以显著提升电源转换效率,并减小系统尺寸。

参数

类型:增强型氮化镓场效应晶体管
  封装:QFN-8
  最大漏源电压(Vds):100V
  连续漏极电流(Id):4A
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ
  栅极电荷(Qg):28nC
  输入电容(Ciss):395pF
  输出电容(Coss):7.5pF
  反向传输电容(Crss):15pF
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

CSD16401Q5采用了先进的氮化镓技术,具有卓越的开关性能和低损耗特点。
  1. 高开关频率支持:由于较低的寄生电容和栅极电荷,该器件可支持高达数MHz的工作频率,适用于高频AC-DC或DC-DC转换器。
  2. 低导通电阻:仅为7mΩ的导通电阻使其在高电流应用中表现出色,降低了传导损耗。
  3. 热性能优越:优化的封装设计提高了散热能力,确保器件在高温环境下也能稳定运行。
  4. 小尺寸封装:QFN-8封装节省了PCB空间,使得整体解决方案更加紧凑。
  5. 宽工作温度范围:从-55°C到150°C的宽温范围,使它能够在极端环境条件下使用。

应用

CSD16401Q5主要应用于高频高效电源转换领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、USB-PD充电器等。
  2. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备和工业自动化中的高效直流变换。
  3. 图形处理器(GPU)供电模块:为高性能计算提供高效的电源管理。
  4. 快速充电器:支持更高功率密度的设计,满足现代消费电子对快速充电的需求。
  5. 能量收集系统:利用其高效率和低损耗特性来优化能量转换效率。

替代型号

CSD18502Q5A, CSD16381Q5B

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CSD16401Q5参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4100pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SON
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-24525-6