时间：2025/5/6 18:20:53
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CSD16401Q5是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的场效应晶体管（FET）。该器件采用增强型氮化镓技术，能够实现更高的开关速度和更低的导通电阻，非常适合用于高频、高效能的应用场景。其设计优化了热性能和电气性能，从而可以显著提升电源转换效率，并减小系统尺寸。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管
封装：QFN-8
最大漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ
栅极电荷（Qg）：28nC
输入电容（Ciss）：395pF
输出电容（Coss）：7.5pF
反向传输电容（Crss）：15pF
工作温度范围：-55°C 至 150°C
CSD16401Q5采用了先进的氮化镓技术，具有卓越的开关性能和低损耗特点。
1. 高开关频率支持：由于较低的寄生电容和栅极电荷，该器件可支持高达数MHz的工作频率，适用于高频AC-DC或DC-DC转换器。
2. 低导通电阻：仅为7mΩ的导通电阻使其在高电流应用中表现出色，降低了传导损耗。
3. 热性能优越：优化的封装设计提高了散热能力，确保器件在高温环境下也能稳定运行。
4. 小尺寸封装：QFN-8封装节省了PCB空间，使得整体解决方案更加紧凑。
5. 宽工作温度范围：从-55°C到150°C的宽温范围，使它能够在极端环境条件下使用。
CSD16401Q5主要应用于高频高效电源转换领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、USB-PD充电器等。
2. DC-DC转换器：用于服务器、通信设备和工业自动化中的高效直流变换。
3. 图形处理器（GPU）供电模块：为高性能计算提供高效的电源管理。
4. 快速充电器：支持更高功率密度的设计，满足现代消费电子对快速充电的需求。
5. 能量收集系统：利用其高效率和低损耗特性来优化能量转换效率。
CSD18502Q5A, CSD16381Q5B
