时间：2025/12/26 21:00:39
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IRUD360CW40是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高性能电源转换应用设计。该器件采用先进的TrenchStop? 5技术，结合超结（Superjunction）结构，提供卓越的开关性能和导通特性，特别适用于高效率、高频率的电源拓扑，如图腾式PFC（Power Factor Correction）、LLC谐振转换器和硬开关全桥电路。IRUD360CW40在650V电压等级下工作，具备出色的抗雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。其优化的体二极管反向恢复特性有助于减少开关损耗，提高系统整体能效。此外，该器件采用业界标准的TO-247封装，便于散热管理与PCB布局，适合工业电源、太阳能逆变器、服务器电源及电信电源等高端应用场景。
IRUD360CW40的设计目标是实现低导通电阻（RDS(on)）与快速开关速度之间的最佳平衡，同时兼顾电磁兼容性（EMI）表现。通过精确控制栅极电荷和输出电容，该MOSFET可在高频操作中显著降低动态损耗，提升功率密度。器件还具备良好的dv/dt抗扰能力，减少误触发风险，增强系统鲁棒性。英飞凌为其提供了完整的应用支持文档，包括SPICE模型、参考设计和热仿真数据，帮助工程师快速完成产品开发与优化。
型号：IRUD360CW40
制造商：Infineon Technologies
晶体管类型：N沟道
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：36A @ 100°C
脉冲漏极电流（IDM）：144A
导通电阻（RDS(on) max）：70mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
输入电容（Ciss）：5900pF @ VDS=50V
输出电容（Coss）：340pF @ VDS=50V
反向恢复时间（trr）：45ns
最大功耗（Ptot）：300W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
IRUD360CW40采用英飞凌领先的TrenchStop? 5 Superjunction技术，实现了导通损耗与开关损耗之间的优异平衡。其核心优势在于低RDS(on)值仅为70mΩ，在650V耐压等级中属于领先水平，显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了系统效率。该器件具有高度优化的电荷分布结构，使得单位面积下的导通能力更强，从而在相同封装尺寸下可承载更高电流。此外，其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为130nC，有助于减少驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率操作，适用于现代高功率密度电源设计。
该MOSFET的体二极管经过专门优化，具备快速且软性的反向恢复特性，反向恢复电荷（Qrr）小，反向恢复时间（trr）仅为45ns。这一特性在硬开关应用中尤为重要，能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），降低对缓冲电路的需求，从而简化外围设计并提升可靠性。同时，其出色的dv/dt和di/dt抗扰能力确保在快速开关过程中不会因寄生效应引发误导通或闩锁现象。
热性能方面，IRUD360CW40拥有高达175°C的最大结温，支持高温环境下持续运行。结合TO-247封装良好的热传导特性，可通过外接散热器高效散热，适用于密闭或通风不良的工业设备。器件还通过了AEC-Q101认证的部分测试项目，展现出较高的长期可靠性。内置的抗雪崩能量（EAS）能力强，可承受突发的过压冲击，适用于电网波动较大的应用场景，如光伏逆变器和UPS系统。
IRUD360CW40广泛应用于各类高效率、高可靠性要求的电力电子系统中。典型应用包括图腾式功率因数校正（Totem-Pole PFC）电路，尤其是在无桥PFC拓扑中，利用其快速体二极管和低导通电阻特性，实现接近99%的转换效率。在LLC谐振转换器中，该器件用于主开关或同步整流侧，凭借低Qg和低Coss特性减少开关损耗，提升轻载效率。此外，它也适用于硬开关全桥（Hard-switched Full-Bridge）DC-DC转换器，常见于工业电源、通信电源和服务器电源模块中。
在可再生能源领域，IRUD360CW40被用于太阳能微型逆变器和储能系统的DC-AC逆变环节，支持高直流母线电压下的稳定运行。其高结温和抗雪崩能力使其在户外高温环境中仍能保持良好性能。在电动汽车充电基础设施中，该器件可用于车载充电机（OBC）或直流充电桩的辅助电源和主功率级，满足严苛的安全与效率标准。此外，工业电机驱动、不间断电源（UPS）和感应加热设备也是其重要应用方向。得益于其高电流能力和稳健的电气特性，IRUD360CW40成为中高端电源设计中的优选功率开关器件。
IPW60R070CFD
STW36N65M5
SPW47N60CFD
