FN21X154K500ECG是一款高性能的场效应晶体管(FET),属于功率MOSFET系列。该器件主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。其设计采用了先进的制造工艺,以确保低导通电阻和高开关速度。
FN21X154K500ECG通过优化栅极电荷和阈值电压参数,使得其在高频工作条件下具备出色的性能表现,同时能够显著降低系统的功耗。此外,该芯片还具有较高的雪崩耐量能力,能够在异常条件下提供可靠的保护。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:15A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:20nC
开关时间:ton=35ns, toff=20ns
结温范围:-55℃至+175℃
FN21X154K500ECG的主要特性包括:
1. 高击穿电压(500V),适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻(150mΩ),有效减少传导损耗。
3. 优化的栅极电荷设计,支持高频操作并降低开关损耗。
4. 快速开关性能,有助于提高系统效率。
5. 宽温度范围操作,适应极端工作条件。
6. 内置ESD保护功能,增强器件可靠性。
7. 符合RoHS标准,环保友好。
8. 具有较强的雪崩耐量能力,提升抗浪涌性能。
该型号广泛用于多种工业及消费电子领域,具体应用包括:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压转换。
3. 电机驱动控制中的功率级组件。
4. 能量管理系统中的电池保护与切换电路。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
6. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
7. 汽车电子中的辅助电源模块。
FN21X154K500ECG凭借其卓越的性能表现,在这些应用中能够显著提升整体系统的效率与稳定性。
IRFP460, STP15NF50Z, FDP18N50