类型：半桥栅极驱动器
　　通道数：2（高低端各一）
　　最大额定电压（VS）：-9.8V 至 +625V
　　电源电压（VDD，逻辑侧）：10V 至 20V
　　逻辑输入兼容电压：3.3V/5V/TTL/CMOS 兼容
　　峰值输出电流：+2A/-2A（典型值）
　　传播延迟时间：≤230ns（典型值）
　　上升时间（tr）：约40ns（1000pF负载）
　　下降时间（tf）：约25ns（1000pF负载）
　　自举二极管：集成
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8（表面贴装）
　　绝缘耐压：符合相关安全标准（依赖于封装和PCB布局）

IRS21867具备多项先进特性，使其成为中高功率开关应用的理想选择。首先，它采用高压浮置通道技术，高端驱动可承受高达+600V的电压摆动，确保在高频开关条件下仍能稳定驱动上桥臂MOSFET或IGBT。其浮动通道的电压偏移速率（dv/dt）抗扰能力极强，即使在快速电压变化环境下也能避免误触发，从而提高系统可靠性。
　　其次，该芯片具有独立的高低端输入控制逻辑（独立模式），允许用户分别控制每个输出通道，支持非对称驱动、脉冲宽度调制（PWM）死区调节以及软启动等多种控制策略，增强了系统设计的灵活性。这使得IRS21867不仅可用于传统的互补式半桥控制，还可用于谐振变换器或需要独立门控的应用场景。
　　第三，IRS21867内部集成了自举二极管，显著减少了外部元件需求，降低了BOM成本，并减小了PCB布局复杂度。传统设计中需外接快恢复二极管以实现自举充电，而集成二极管经过优化，具有低正向压降和反向恢复电荷，提升了效率并减少了热损耗。
　　此外，该器件具有宽电源电压范围（10V–20V），适应不同栅极驱动电压需求，同时输出级采用图腾柱结构，提供强大的拉电流和灌电流能力（±2A），能够快速充放电MOSFET栅极电容，降低开关损耗，提升整体系统效率。
　　最后，IRS21867具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当VCC或VB电压低于阈值时自动关闭输出，防止功率器件在非正常电压下工作导致损坏。其高噪声 immunity 设计结合内部电平移位电路，确保信号传输的完整性，适用于高干扰工业环境。

IRS21867广泛应用于需要高效、可靠驱动功率半导体器件的各种电力电子系统中。在电机驱动领域，常用于交流感应电机、永磁同步电机（PMSM）和无刷直流电机（BLDC）的三相逆变桥中作为半桥驱动单元，配合微控制器实现精确的矢量控制或方波驱动。
　　在开关电源方面，该芯片适用于LLC谐振变换器、有源钳位反激、半桥PSFB（Phase-Shifted Full Bridge）等拓扑结构，尤其适合服务器电源、通信电源和工业电源模块。其独立输入控制模式支持复杂的PWM调制方式，有助于实现高效率和低EMI设计。
　　在可再生能源系统中，如太阳能微逆变器和储能系统中的DC-AC转换器，IRS21867因其高集成度和高可靠性而被广泛采用。其支持3.3V逻辑电平输入，便于与DSP、MCU或FPGA直接接口，无需额外电平转换电路。
　　此外，该器件也适用于感应加热设备、UPS不间断电源、电动工具驱动器以及各类工业自动化设备中的功率级驱动。得益于其小型化SOIC-8封装和内置自举二极管，特别适合空间受限但要求高性能的设计场景。其-40°C至+125°C的工作温度范围也保证了在极端环境下的长期稳定性。

IRS21867STRPBF