IRM048C 时间：2025/8/27 16:38:50 阅读：5

IRM048C 是一款由国际整流器公司（International Rectifier，简称 IR）设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用而设计，例如在DC-DC转换器、电源管理和电机控制中使用。IRM048C 采用了先进的沟槽式技术，提供了优异的导通电阻（Rds(on)）性能和开关特性，有助于减少能量损耗并提高系统整体效率。该器件通常采用TO-262封装形式，具备良好的热管理和耐用性，适用于工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：48A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω @ VGS = 10V
　　最大功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-262

特性

IRM048C MOSFET的核心优势在于其低导通电阻和优异的开关性能。这种低Rds(on)特性使得该器件在高电流应用中能够显著减少导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，IRM048C的沟槽式MOSFET结构优化了电荷存储和释放过程，降低了开关损耗，使其非常适合高频开关应用。
　　该器件的封装设计（TO-262）不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高功率环境下的稳定性。IRM048C的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平控制，使其能够与各种控制器和驱动电路兼容。同时，其较高的最大工作温度上限（175°C）确保了在恶劣工作条件下的可靠运行。
　　IRM048C的快速开关能力也使其在PWM（脉宽调制）控制和动态负载调节中表现出色。这种性能优势在电源管理、电池充电系统以及电机控制等应用中尤为重要。

应用

IRM048C 常用于各种高功率和高效率的电子系统中，例如：
　　- DC-DC转换器：在服务器电源、电信设备和嵌入式系统中提供高效能的电压调节。
　　- 电源管理模块：用于电池管理系统、不间断电源（UPS）和电源分配单元（PDU）中，优化电能的分配和使用。
　　- 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路，提供高效率的功率输出。
　　- 负载开关：在电源管理系统中作为高电流负载开关，实现快速响应和低功耗控制。
　　- 逆变器和变频器：在工业自动化和家电控制中用于交流电机的变频控制。