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IXYX25N250CV1HV 发布时间 时间:2025/8/6 11:28:20 查看 阅读:27

IXYX25N250CV1HV是一款高性能、高电压的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由IXYS公司制造。这款MOSFET专为高电压和高功率应用设计,适用于电源管理、电机控制、逆变器系统以及工业自动化设备等领域。IXYX25N250CV1HV采用了先进的沟槽栅极技术,使其在高电压下仍能保持较低的导通电阻(Rds(on)),从而提高效率并减少功率损耗。此外,该器件具备良好的热稳定性和过载保护能力,能够在苛刻的电气环境中稳定运行。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):2500V
  连续漏极电流(Id):25A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大值0.45Ω
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V至4.0V
  最大功耗(Pd):300W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装类型:TO-247AC
  雪崩能量(EAS):具有高雪崩能量承受能力
  短路耐受能力:具备短路保护功能

特性

IXYX25N250CV1HV具有多项优异特性,使其在高压功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(2500V)使其适用于高电压直流(HVDC)系统和高压变频器等场合。其次,该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))在25A电流下仍能保持较低的导通压降,从而减少功率损耗,提高整体效率。此外,IXYX25N250CV1HV具备良好的热稳定性,能够在高温环境下持续运行,适合工业级和车载应用。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,能够有效防止因瞬态过压而引起的损坏。同时,其短路保护功能可增强系统的可靠性,防止因短路故障导致的器件损坏。TO-247AC封装形式提供了良好的散热性能,便于在高功率应用中进行安装和热管理。

应用

IXYX25N250CV1HV广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。例如,在工业电源、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、变频器、电机驱动器和光伏逆变器中,该MOSFET可作为主开关元件,实现高效能的能量转换。此外,它也适用于电动车(EV)充电系统、储能系统以及高电压测试设备等应用。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性,IXYX25N250CV1HV特别适合用于需要在极端电压条件下稳定运行的系统。

替代型号

IXFP25N250P, IXTH25N250HV

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IXYX25N250CV1HV参数

  • 现有数量60现货
  • 价格1 : ¥367.36000管件
  • 系列XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)2500 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)95 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)235 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)4V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值937 W
  • 开关能量8.3mJ(开),7.3mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷147 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值15ns/230ns
  • 测试条件1250V,25A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)220 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装PLUS247?-3