时间：2025/7/12 16:00:44
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IRLZ24NPBF是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件属于逻辑电平驱动系列，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用。其封装形式为SO-8，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和小型化设计。
该MOSFET的最大额定电压为20V，适用于低压环境下的高效功率管理场景。
最大漏源电压：20V
最大栅极源极电压：±12V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：6nC
总电容：315pF
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻：在Vgs=4.5V时，Rds(on)仅为25mΩ，能够显著降低导通损耗，提升效率。
2. 快速开关性能：由于其较低的栅极电荷和输出电容，IRLZ24NPBF具备快速开关能力，有助于减少开关损耗。
3. 逻辑电平驱动：支持低至4.5V的栅极驱动电压，使其可以直接由微控制器或其他逻辑电路驱动，无需额外的驱动电路。
4. 高可靠性：采用先进的制造工艺，确保器件在高温和高电流条件下的稳定运行。
5. 小型封装：SO-8封装节省空间，同时提供良好的散热性能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 消费类电子产品中的电源管理单元
IRLZ24N, IRLZ44N, FDN337N, BSS138
