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STP260N6F6 发布时间 时间:2025/7/23 20:51:15 查看 阅读:6

STP260N6F6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流、高频率和低导通电阻应用而设计,广泛用于电源转换、电机控制、电池管理系统和工业自动化等领域。STP260N6F6采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了卓越的导通性能和开关特性。

参数

类型:N沟道
  漏极电流(Id):80A(最大)
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):约2.6mΩ(典型值,Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220、D2PAK等
  功率耗散(Ptot):300W(最大)
  栅极电荷(Qg):约130nC(典型值)

特性

STP260N6F6具有多个显著的性能特点,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件支持高达80A的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。此外,STP260N6F6具备优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。
  该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高系统的开关速度和效率。其封装形式(如TO-220和D2PAK)具有良好的散热性能,适用于需要高功率处理能力的应用。STP260N6F6的宽工作温度范围(-55°C至175°C)也使其适用于极端环境条件下的应用。
  此外,STP260N6F6具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提高了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽(通常为10V至15V),可与多种驱动电路兼容,简化了电路设计。

应用

STP260N6F6广泛应用于多种高功率和高频场景。其中,电源转换系统(如DC-DC转换器、AC-DC电源模块)是其主要应用领域之一。在这些系统中,STP260N6F6可以作为主开关元件,提供高效率和高稳定性的功率转换。此外,该器件也常用于电机驱动和控制电路中,如直流电机控制、步进电机驱动器等,能够提供强大的电流驱动能力和良好的热管理性能。
  在电池管理系统中,STP260N6F6用于电池充放电控制和保护电路,确保电池组的安全运行。同时,该器件也适用于工业自动化设备,如伺服电机控制、PLC(可编程逻辑控制器)等,满足高可靠性和高效率的要求。STP260N6F6还可用于高频逆变器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等新兴领域。

替代型号

STP260N6F6-A, STP80NF60, FDPF6N60

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STP260N6F6参数

  • 其它有关文件STP260N6F6 View All Specifications
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs183nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds11400pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 其它名称497-11230-5