型号：IRLR8729
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：120A
　　脉冲漏极电流IDM：480A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS = 10V）：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS = 4.5V）：6.4mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：3300pF
　　输出电容Coss：970pF
　　反向传输电容Crss：190pF
　　开启延迟时间td(on)：12ns
　　关断延迟时间td(off)：42ns
　　上升时间tr：38ns
　　下降时间tf：26ns
　　最大功耗PD：200W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：D-Pak (TO-252)

IRLR8729采用了英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构通过优化芯片内部的沟道布局，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗并提升整体能效。在VGS为10V时，其典型RDS(on)仅为4.5mΩ，即使在较低驱动电压4.5V下也能保持6.4mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于同步整流和低电压大电流开关电路中。该器件具有非常高的电流处理能力，在25°C条件下可承载高达120A的连续漏极电流，并能承受480A的脉冲电流，表现出卓越的瞬态响应能力。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。得益于D-Pak封装良好的散热设计以及芯片本身的低热阻特性，IRLR8729可以在高温环境下稳定运行，结温最高可达175°C，确保了长期工作的可靠性和耐用性。同时，其快速的开关速度（开启延迟仅12ns，关断延迟42ns）有助于减少开关过程中的能量损耗，提高电源系统的转换效率。器件的输入、输出及反向传输电容均经过优化，降低了高频工作时的驱动功率需求，也减少了电磁干扰的影响。
　　此外，IRLR8729具备较强的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，能够耐受电压突变和感性负载引起的反向电动势，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其±20V的栅源电压耐受能力也为实际应用提供了更大的设计裕量，避免因驱动信号波动导致器件损坏。整体而言，IRLR8729在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种高密度功率转换场景的高性能MOSFET。

IRLR8729广泛应用于各类需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。常见应用包括直流-直流（DC-DC）降压或升压转换器，特别是在服务器、笔记本电脑和通信设备的主板电源模块中作为同步整流器使用，因其低RDS(on)可显著降低传导损耗，提高电源效率。在电池供电系统如电动工具、无人机和便携式设备中，该器件用于电池管理电路和电机驱动单元，能够有效控制大电流通断，延长电池续航时间。
　　此外，IRLR8729也被用于H桥电机驱动电路中，作为低端或高端开关元件，驱动直流电机或步进电机，其高电流能力和快速开关特性使其能够精确控制电机转速与方向。在电源逆变器、LED驱动电源以及UPS不间断电源系统中，该MOSFET可用于功率级切换，实现高效的能量转换。由于其D-Pak封装体积小巧且便于安装，特别适合空间受限的应用场景，例如紧凑型适配器、嵌入式电源模块和工业传感器供电单元。
　　在消费类电子产品中，如液晶电视、机顶盒和智能家居控制器，IRLR8729常被用作负载开关或热插拔保护电路中的主控开关，提供可靠的电源通断控制。同时，由于其符合RoHS标准并支持无铅焊接工艺，适用于现代自动化贴片生产线，满足大批量制造的环保与工艺要求。总体来看，IRLR8729凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，已成为众多中低电压、高电流功率应用中的核心元器件之一。

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　　 "IRLR8728",
　　 "IRL3803",
　　 "FDP6670",
　　 "AO4468",
　　 "SI4410DY"
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