时间：2025/9/14 21:16:33
阅读：3
BUK9Y19-55B,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的电源转换应用而设计，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等场景。该MOSFET采用先进的Trench技术，提供低导通电阻和优异的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：最大19mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散(Pd)：71W
输入电容(Ciss)：1600pF @ Vds=25V
BUK9Y19-55B,115 具备多项显著特性，确保其在复杂工作环境下的高效表现。
首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为19mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流应用中，如DC-DC降压或升压转换器，这种低Rds(on)特性尤为关键，可以减少功率损耗并提高整体能效。
其次，该MOSFET采用了先进的Trench结构技术，使得器件在保持小尺寸的同时具备优异的电气性能。这种结构优化了电场分布，提升了器件的耐压能力和可靠性。
再者，该器件的连续漏极电流额定值为20A，支持在高负载条件下稳定工作，适用于中高功率级别的电源管理应用。此外，±20V的栅源电压容限提供了良好的抗过压能力，降低了因电压波动而导致栅极击穿的风险。
封装方面，该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理性能，能够有效地将热量传导至PCB板，确保长时间运行时的稳定性。同时，该封装形式便于贴片安装，适用于自动化生产流程。
此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C，表现出优异的宽温适应能力，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
BUK9Y19-55B,115 的应用领域广泛，尤其适合对效率和热性能要求较高的电源管理方案。其典型应用场景包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源适配器以及服务器电源等。
在DC-DC转换器中，该MOSFET作为主开关器件，能够有效降低导通损耗并提高转换效率。其低Rds(on)和高电流能力使其非常适合用于同步整流拓扑中，提升电源系统的整体能效。
在电池管理系统中，BUK9Y19-55B,115 可用于控制电池充放电路径，实现高精度的电流控制和保护功能。其高可靠性和宽工作温度范围，使其在新能源汽车、储能系统和便携式设备中具有良好的应用前景。
此外，该器件也常用于电机驱动和工业控制设备中，作为高效的功率开关元件。其快速开关能力和低损耗特性有助于提升电机控制系统的响应速度和稳定性。
由于其优异的电气性能和高可靠性，该MOSFET也被广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等多个领域。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PBF, IPD90N06S4-03
