类型：串行EEPROM
　　容量：1-Kbit (128 x 8)
　　接口类型：I2C (两线串行)
　　工作电压：1.7V ~ 5.5V
　　时钟频率：最高支持1MHz（高速模式）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-26 (SOT-23-6)
　　写入耐久性：1,000,000次
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　固定设备地址：A0, A1, A2引脚可编程
　　写保护功能：支持（通过WP引脚）
　　自定时写周期：典型5ms
　　最大待机电流：1μA（典型值）
　　最大工作电流：300μA（读操作）

BR24G01FVM-3GTTR具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。首先，其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）允许该器件在多种电源环境下稳定运行，无论是使用3.3V还是5V系统的微控制器都能兼容，同时也适用于电池供电的低功耗设备，提升了设计灵活性。其次，支持I2C高速模式（最高1MHz）显著提高了数据传输效率，相比传统400kHz模式，能够在更短时间内完成数据读写操作，特别适合对响应速度有一定要求的应用场合。
　　该芯片采用SOT-26小型封装，仅占用极小的PCB面积，非常适合空间受限的便携式电子设备，如智能传感器模块、可穿戴设备、无线通信模块等。其内置的硬件写保护引脚（WP）可以在物理层面锁定存储器内容，避免因程序错误、噪声干扰或系统复位等原因造成的关键数据被误修改或擦除，增强了系统的可靠性和安全性。
　　在可靠性方面，BR24G01FVM-3GTTR支持高达100万次的擦写寿命，远超一般应用场景的需求，确保长期频繁写入操作下的稳定性。同时，数据保持时间可达10年以上，即使在恶劣环境条件下也能保证信息不丢失。此外，器件支持通过A0、A1、A2三个地址引脚设置设备地址，最多可在同一I2C总线上挂载8个相同型号的EEPROM，便于扩展存储容量或实现多设备独立管理。
　　该器件还具备自动定时写周期控制功能，在执行写操作后无需主机持续轮询状态，简化了软件设计流程。低功耗特性也极为突出，待机电流低至1μA，非常适合用于节能型或电池驱动系统。整体而言，BR24G01FVM-3GTTR以其高集成度、高可靠性和灵活的接口特性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备等领域。

BR24G01FVM-3GTTR因其小容量、高可靠性和紧凑封装，广泛应用于各类需要非易失性数据存储的电子系统中。常见用途包括存储微控制器系统的配置参数，例如设备的工作模式、用户偏好设置或通信协议参数，确保设备在重启或断电后仍能恢复到之前的状态。在传感器模块中，可用于保存校准系数、偏移量或温度补偿数据，提升测量精度和一致性。
　　该芯片也常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等，用于存储设备序列号、生产日期、固件版本信息或个性化设置。在工业自动化领域，可用于PLC模块、远程IO单元或HMI设备中，记录运行日志、故障代码或维护信息。
　　在通信设备中，BR24G01FVM-3GTTR可用于存储MAC地址、网络配置信息或加密密钥，尤其适用于Wi-Fi模块、ZigBee收发器或RFID读写器等嵌入式通信节点。此外，在汽车电子系统中，可用于车载传感器、ECU辅助模块或车内娱乐系统中，存储配置数据或用户设置。
　　由于其支持I2C多设备并联能力，还可用于需要多个独立存储区域的系统设计，例如分布式采集系统中的各个节点各自保存本地配置。其低功耗特性也使其适用于电池供电的物联网终端设备，如无线传感节点、智能门锁或环境监测仪，在保证数据持久性的同时延长电池使用寿命。

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　　 "BR24G01FJ-3GE2",
　　 "BR24G01F-3WE2",
　　 "M24C01-RMN6TP",
　　 "CAT24C01WI-GT3",
　　 "AT24C01D-XHM-T"
　　]