IRLR8103VTR 时间：2025/6/28 20:11:56 阅读：6

IRLR8103VTR是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和快速开关性能，非常适合用于要求高效能和低损耗的应用场景。
　　这款MOSFET在消费类电子、工业控制以及通信设备中得到了广泛应用。其设计能够满足现代电子系统对高效率和小尺寸的需求，同时提供了出色的电气特性和可靠性。

参数

型号：IRLR8103VTR
　　类型：N-Channel MOSFET
　　Vds（漏源电压）：40V
　　Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　Id（持续漏电流）：78A
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　封装形式：TO-263-3 (D2PAK)
　　f（工作频率）：支持高频开关应用
　　结温范围：-55℃至175℃

特性

IRLR8103VTR的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，在不同栅极驱动电压下均表现出优异的性能，例如在Vgs=4.5V时，Rds(on)为4.5mΩ；在Vgs=10V时，Rds(on)仅为3.5mΩ。
　　2. 高电流处理能力，最大持续漏电流可达78A。
　　3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
　　4. 耐热增强型封装设计，能够有效提升散热性能。
　　5. 工作温度范围宽广，适合各种严苛环境下的应用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接和集成。
　　这些特性使得IRLR8103VTR成为DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用的理想选择。

应用

IRLR8103VTR广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流功能。
　　2. DC-DC转换器，尤其是需要高效能和高电流输出的设计。
　　3. 各种电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
　　5. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
　　6. 消费类电子产品中的负载开关和功率分配。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，IRLR8103VTR适用于多种高功率密度和高效能需求的应用场景。