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CXG1144EN-T9 发布时间 时间:2025/8/18 17:25:05 查看 阅读:23

CXG1144EN-T9是一款由CCTC(常州中科君芯科技有限公司)设计制造的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片。IGBT是一种结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT(双极型晶体管)的低导通压降优点的复合型功率半导体器件。CXG1144EN-T9采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,具有较低的导通损耗和开关损耗,适用于高效率、高频率的功率变换系统。该器件采用TO-247封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业电机驱动、变频器、光伏逆变器、电动汽车充电系统等应用领域。

参数

类型:IGBT
  封装:TO-247
  最大集电极电流:120A
  最大集电极-发射极电压:1200V
  导通压降:约2.1V(@25℃)
  短路耐受能力:6μs
  工作温度范围:-55℃ ~ 175℃
  存储温度范围:-55℃ ~ 175℃
  最大功耗:300W
  栅极驱动电压:±20V
  短路电流能力:6倍额定电流
  短路耐受能力:6μs
  最大开关频率:30kHz
  热阻(Rth):0.42℃/W(结到壳)

特性

CXG1144EN-T9采用先进的沟槽栅场截止技术,具有优异的导通特性和开关性能。其导通压降较低,在25℃条件下约为2.1V,能够在高温工况下保持良好的导通特性,从而减少功率损耗,提高系统效率。该器件具有较强的短路耐受能力,可在6μs内承受高达6倍额定电流的短路电流,提升了系统的可靠性和安全性。
  CXG1144EN-T9具备优异的热稳定性,工作温度范围宽达-55℃至175℃,适用于高温和恶劣环境下的应用。其热阻(Rth)为0.42℃/W(结到壳),散热性能良好,有助于提高器件在高功率密度系统中的可靠性。此外,该IGBT具有较高的最大集电极-发射极电压(1200V)和较大的最大集电极电流(120A),适用于高压、大电流的应用场景。
  该器件的栅极驱动电压范围为±20V,兼容主流的IGBT驱动电路,便于设计和应用。最大开关频率可达30kHz,适用于高频开关应用,如变频器、光伏逆变器等。此外,CXG1144EN-T9具有良好的抗干扰能力,能够减少电磁干扰(EMI),提高系统的稳定性。

应用

CXG1144EN-T9广泛应用于工业自动化控制、电机驱动、变频器、光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车充电系统、智能电网等领域。其高耐压、大电流、低导通损耗和高开关频率的特点,使其特别适用于高压大功率变换系统。例如,在光伏逆变器中,CXG1144EN-T9可用于DC-AC变换,实现高效能的能量转换;在电动汽车充电系统中,可用于AC-DC整流和DC-DC变换,提高充电效率;在工业变频器中,可用于电机驱动的功率变换部分,实现高效节能运行。
  此外,该器件还可用于UPS系统中的逆变器模块,提供稳定的交流输出;在智能电网系统中,用于电力电子变换装置,提高电能质量;在储能系统中,用于能量双向变换,实现高效储能和释放。CXG1144EN-T9的高可靠性和宽温度范围,使其适用于各种工业和新能源应用场合。

替代型号

SKM100GB12T4AG

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