时间：2025/8/18 17:25:05
阅读：26
CXG1144EN-T9是一款由CCTC（常州中科君芯科技有限公司）设计制造的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片。IGBT是一种结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT（双极型晶体管）的低导通压降优点的复合型功率半导体器件。CXG1144EN-T9采用了先进的沟槽栅场截止（Trench Field Stop）技术，具有较低的导通损耗和开关损耗，适用于高效率、高频率的功率变换系统。该器件采用TO-247封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业电机驱动、变频器、光伏逆变器、电动汽车充电系统等应用领域。
类型：IGBT
封装：TO-247
最大集电极电流：120A
最大集电极-发射极电压：1200V
导通压降：约2.1V（@25℃）
短路耐受能力：6μs
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
存储温度范围：-55℃ ~ 175℃
最大功耗：300W
栅极驱动电压：±20V
短路电流能力：6倍额定电流
短路耐受能力：6μs
最大开关频率：30kHz
热阻（Rth）：0.42℃/W（结到壳）
CXG1144EN-T9采用先进的沟槽栅场截止技术，具有优异的导通特性和开关性能。其导通压降较低，在25℃条件下约为2.1V，能够在高温工况下保持良好的导通特性，从而减少功率损耗，提高系统效率。该器件具有较强的短路耐受能力，可在6μs内承受高达6倍额定电流的短路电流，提升了系统的可靠性和安全性。
CXG1144EN-T9具备优异的热稳定性，工作温度范围宽达-55℃至175℃，适用于高温和恶劣环境下的应用。其热阻（Rth）为0.42℃/W（结到壳），散热性能良好，有助于提高器件在高功率密度系统中的可靠性。此外，该IGBT具有较高的最大集电极-发射极电压（1200V）和较大的最大集电极电流（120A），适用于高压、大电流的应用场景。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容主流的IGBT驱动电路，便于设计和应用。最大开关频率可达30kHz，适用于高频开关应用，如变频器、光伏逆变器等。此外，CXG1144EN-T9具有良好的抗干扰能力，能够减少电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性。
CXG1144EN-T9广泛应用于工业自动化控制、电机驱动、变频器、光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车充电系统、智能电网等领域。其高耐压、大电流、低导通损耗和高开关频率的特点，使其特别适用于高压大功率变换系统。例如，在光伏逆变器中，CXG1144EN-T9可用于DC-AC变换，实现高效能的能量转换；在电动汽车充电系统中，可用于AC-DC整流和DC-DC变换，提高充电效率；在工业变频器中，可用于电机驱动的功率变换部分，实现高效节能运行。
此外，该器件还可用于UPS系统中的逆变器模块，提供稳定的交流输出；在智能电网系统中，用于电力电子变换装置，提高电能质量；在储能系统中，用于能量双向变换，实现高效储能和释放。CXG1144EN-T9的高可靠性和宽温度范围，使其适用于各种工业和新能源应用场合。
SKM100GB12T4AG
