型号：IRLR7843C
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：170A
　　脉冲漏极电流（IDM）：690A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：3.3mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：4.7mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：81nC
　　输入电容（Ciss）：4040pF
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　阈值电压（Vth）：2.0V（典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DirectFET S3

IRLR7843C采用英飞凌先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提升系统能效。其RDS(on)在VGS=10V时仅为3.3mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合用于低压大电流的同步整流拓扑中，如服务器电源、VRM（电压调节模块）等。该器件的栅极电荷（Qg）为81nC，相对较低，有助于减少驱动损耗并加快开关速度，从而支持更高频率的开关操作，减小外围无源元件的尺寸，提升功率密度。
　　DirectFET S3封装是IRLR7843C的一大亮点，该封装通过顶部和底部同时散热，具有极低的热阻（RθJC），有效提升了器件的散热能力。与传统DPAK或SO-8封装相比，DirectFET封装减少了引线电感，降低了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性。此外，该封装体积小巧，节省PCB空间，非常适合高密度板级设计。
　　该MOSFET具备优良的开关特性，包括快速的上升时间和下降时间，以及较低的输出电容（Coss），使其在硬开关和软开关电路中均表现出色。其反向恢复时间（trr）为28ns，配合体二极管优化设计，可在同步整流中减少反向恢复损耗，避免因体二极管拖尾电流引起的额外功耗。此外，器件的阈值电压典型值为2.0V，确保了在低电压逻辑控制下也能可靠开启，兼容现代低电压控制IC的驱动需求。
　　IRLR7843C还具备良好的热稳定性和可靠性，结温范围宽达-55°C至+150°C，适合在高温工业环境或长时间满载运行的应用中使用。器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子中的辅助电源系统。其雪崩耐量经过测试，具备一定的重复雪崩能量承受能力，增强了在异常工况（如电感负载突变）下的鲁棒性，防止器件因瞬态过压而损坏。

IRLR7843C主要应用于需要高效、大电流开关能力的电源系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在多相VRM设计中用于CPU或GPU供电，其低RDS(on)和高电流承载能力可有效降低导通损耗，满足高性能计算平台对低电压、大电流供电的需求。此外，该器件也广泛用于服务器电源、电信整流器、分布式电源架构中的中间母线转换器（IBA）以及POL（点负载）转换器等高密度电源模块。
　　在电池管理系统（BMS）和电动工具、无人机等便携式设备中，IRLR7843C可用于电池包内的充放电控制开关或负载开关，利用其低导通电阻延长电池续航时间。在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，尤其适用于小型高转速电机的高效控制。
　　由于其优异的热性能和封装设计，该器件也适合用于高频率开关电源，如LLC谐振转换器或有源钳位反激（ACF）拓扑中的同步整流侧，以替代肖特基二极管，进一步提升转换效率。此外，在LED驱动电源、工业电源模块以及太阳能微逆变器等绿色能源应用中，IRLR7843C同样表现出良好的适应性和可靠性。

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　　 "IRLR7843",
　　 "IRLHS7843",
　　 "SiR784DP",
　　 "AOZ5235EQI"
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