时间：2025/6/5 9:29:06
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GMC02CG200G50NT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少热量产生。
它属于沟道增强型功率 MOSFET，封装形式为 TO-247，支持大电流和高电压操作，适用于工业级和消费电子领域的多种应用需求。
型号：GMC02CG200G50NT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：80mΩ（典型值）
总功耗(Ptot)：260W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装：TO-247
GMC02CG200G50NT 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：1200V 的漏源电压使其非常适合高压应用场景，如太阳能逆变器和电动车驱动系统。
2. 极低导通电阻：在典型条件下仅为 80 毫欧，有助于降低导通损耗并提升整体效率。
3. 快速开关性能：优化的栅极电荷设计使得开关速度更快，从而减少了开关损耗。
4. 强大的散热能力：得益于 TO-247 封装的大面积金属底座，该器件可以高效地将热量传导至散热片。
5. 高可靠性：通过了严格的工业标准测试，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
6. 宽温度范围：工作结温可达 -55°C 至 +175°C，适应各种极端环境条件。
GMC02CG200G50NT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中作为功率输出级元件。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 电动车牵引逆变器以及其他需要高电压和大电流处理能力的应用。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
6. 各种高功率密度的设计场合，例如 UPS 不间断电源系统。
GMC02CG200G55NT, IRFP260N, STP36NF120
