类型：SiC MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：120A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：4mΩ
　　栅极电荷（Qg）：35nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　短路耐受能力：600V/100A

SIC04A065D 的核心优势在于其基于碳化硅的材料特性，相较于传统的硅基MOSFET，具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的能量损耗。该器件的导通电阻非常低，仅为4mΩ，这意味着在高电流应用中，其导通损耗远低于传统硅器件。此外，SIC04A065D 的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高系统效率。
　　另一个显著特点是其出色的高温性能。由于碳化硅材料的热稳定性优异，SIC04A065D 可在高达150°C的结温下稳定工作，无需复杂的散热设计即可应对高功率应用场景。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在600V和100A的条件下承受短路事件，提升了系统的可靠性和安全性。
　　封装方面，SIC04A065D 采用TO-247封装形式，这种封装结构成熟、易于安装，并具有良好的散热性能，适合工业级应用。该器件还具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，使其在高频率开关应用中表现优异。

SIC04A065D 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高频开关的电力电子系统中。典型的应用包括电动汽车（EV）充电器、太阳能逆变器、储能系统、不间断电源（UPS）、服务器电源、工业电机驱动以及高频DC-DC转换器等。
　　在电动汽车充电器中，SIC04A065D 的高效率和低导通损耗有助于提升充电效率并减少发热，从而延长设备寿命。在太阳能逆变器中，该器件的高频特性可减小无源元件的体积，提升系统的整体功率密度。此外，其优异的短路耐受能力也使其适用于对可靠性要求较高的工业电源和电机驱动系统。
　　由于其良好的热管理能力和高耐压特性，SIC04A065D 还被广泛用于数据中心和服务器电源系统中，以满足高能效和小体积的设计需求。

C3M0040120D, SCT3040KL, SiC MOSFET 650V 120A TO-247