IRLR7821是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用UD-UTPA28封装形式。这款MOSFET由英飞凌(Infineon)制造,主要用于低电压、大电流应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等场景。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):69A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):15W
结温范围(Tj):-55℃至175℃
IRLR7821具有非常低的导通电阻Rds(on),这使得它在高效率应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。
该器件支持较高的持续漏极电流,适用于需要大电流处理能力的场合。
其逻辑电平驱动兼容性意味着可以用较低的栅极驱动电压来开启器件,简化了电路设计。
此外,IRLR7821具备优异的热性能和可靠性,适合于要求苛刻的应用环境。
IRLR7821广泛应用于各种电源管理和功率转换场景,包括但不限于:
- DC-DC转换器中的同步整流
- 负载开关
- 电池保护和管理
- 电机控制与驱动
- 开关模式电源(SMPS)
- 工业自动化及消费类电子设备中的功率管理模块
IRLR7843, IRLR7823