HMC1035LP6GETR 是一款高性能的 SPDT (单刀双掷) 开关芯片,采用 GaAs MMIC PIN 二极管技术制造。该器件工作频率范围宽广,支持从 DC 到 24 GHz 的应用需求,非常适合用于宽带射频和微波系统中的信号切换。其低插入损耗、高隔离度和出色的线性度使其成为测试设备、通信基础设施以及军事雷达系统的理想选择。
该芯片采用紧凑的 6 引脚塑料封装 (LP6),提供良好的热性能和机械稳定性,同时支持表面贴装工艺,简化了生产流程。
类型:SPDT 开关
频率范围:DC 至 24 GHz
插入损耗:0.7 dB(典型值)@ 18 GHz
隔离度:33 dB(最小值)@ 18 GHz
VSWR:1.5:1(最大值)
控制电压:+5V 和 0V
功耗:28 mA(典型值)@ +5V
封装形式:6 引脚塑料封装 (LP6E)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
HMC1035LP6GETR 提供卓越的射频性能,具有非常低的插入损耗和高隔离度,能够有效减少信号失真并提高系统效率。
该芯片内置偏置网络,无需外部匹配元件即可直接驱动,极大简化了电路设计。
它还具备出色的线性度和耐受功率能力,在处理大信号输入时仍能保持稳定的性能。
此外,由于采用了表面贴装封装,HMC1035LP6GETR 易于集成到大规模生产的 PCB 板上,并且在高频应用中表现出色。
HMC1035LP6GETR 广泛应用于各种射频和微波系统中,包括但不限于:
- 测试与测量设备
- 点对点无线电通信
- 军事雷达和电子对抗系统
- 卫星通信
- 光纤通信中的前端模块
- 宽带接收机和发射机切换
- 实验室信号路由和分配
HMC1035MS8GETR