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IRLR3714ZTRPBF 发布时间 时间:2025/7/2 15:31:07 查看 阅读:4

IRLR3714ZTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于需要高效功率转换的应用场景。
  该器件常用于消费电子、工业控制以及通信设备中的开关电源、电机驱动和负载切换等应用。其封装形式为 SO-8,能够提供优异的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏电流:9.2A
  最大脉冲漏电流:36A
  栅极阈值电压:1.3V 至 2.5V
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):1.4mΩ
  导通电阻(最大值,Vgs=10V):1.8mΩ
  导通电阻(典型值,Vgs=4.5V):1.8mΩ
  导通电阻(最大值,Vgs=4.5V):2.3mΩ
  总栅极电荷:15nC
  输入电容:1030pF
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRLR3714ZTRPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持高效的功率传输,减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
  3. 低栅极电荷设计,可降低驱动功耗,提高整体系统效率。
  4. 工作温度范围宽广,适用于各种严苛环境下的应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 小型化封装,节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。

应用

IRLR3714ZTRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,如适配器、充电器等。
  2. 直流无刷电机(BLDC)驱动电路。
  3. 各类负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
  5. 通信设备中的功率管理模块。
  6. 高效 DC-DC 转换器及同步整流电路。

替代型号

IRLR3714PBF, IRLR3714STRPBF

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IRLR3714ZTRPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C37A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds560pF @ 10V
  • 功率 - 最大35W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)