IRLR3714ZTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于需要高效功率转换的应用场景。
该器件常用于消费电子、工业控制以及通信设备中的开关电源、电机驱动和负载切换等应用。其封装形式为 SO-8,能够提供优异的散热性能。
最大漏源电压:30V
最大连续漏电流:9.2A
最大脉冲漏电流:36A
栅极阈值电压:1.3V 至 2.5V
导通电阻(典型值,Vgs=10V):1.4mΩ
导通电阻(最大值,Vgs=10V):1.8mΩ
导通电阻(典型值,Vgs=4.5V):1.8mΩ
导通电阻(最大值,Vgs=4.5V):2.3mΩ
总栅极电荷:15nC
输入电容:1030pF
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
IRLR3714ZTRPBF 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持高效的功率传输,减少功率损耗。
2. 高速开关能力,适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
3. 低栅极电荷设计,可降低驱动功耗,提高整体系统效率。
4. 工作温度范围宽广,适用于各种严苛环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
6. 小型化封装,节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。
IRLR3714ZTRPBF 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,如适配器、充电器等。
2. 直流无刷电机(BLDC)驱动电路。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
5. 通信设备中的功率管理模块。
6. 高效 DC-DC 转换器及同步整流电路。
IRLR3714PBF, IRLR3714STRPBF