IXYH8N250C 时间：2025/8/5 17:13:28 阅读：29

IXYH8N250C是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的功率MOSFET晶体管。该器件基于先进的CoolMOS?技术，具备高效率和低导通电阻的特性，适用于高功率密度和高能效的应用场景。该MOSFET采用TO-247封装，适合在电源转换、电机控制和工业自动化等领域使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：2500V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.05Ω
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXYH8N250C的主要特点之一是其采用CoolMOS?技术，这使得该器件具有更低的导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　此外，该MOSFET具备高耐压能力，其漏极-源极击穿电压高达2500V，适用于高压应用场景。
　　该器件的导通电阻较低，有助于降低功率损耗，提高能源利用率。
　　IXYH8N250C还具有较强的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定工作，适用于高可靠性要求的工业设备。
　　TO-247封装设计提供了良好的散热性能，便于在紧凑型电路设计中使用，并确保在高温环境下的稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，增强了其在不同控制电路中的兼容性。

应用

IXYH8N250C广泛应用于各类电力电子系统，尤其是在需要高压和高效率的场合。
　　例如，在开关电源（SMPS）中，该器件能够有效提升电源转换效率，降低能量损耗。
　　它也适用于电机驱动系统，如工业电机控制、伺服电机和变频器等，能够提供稳定的功率输出并提高系统响应速度。
　　此外，该MOSFET可用于光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统，以支持高效能的电能转换与管理。
　　在电动汽车充电设备和储能系统中，IXYH8N250C同样表现出色，能够满足高压、高可靠性的设计需求。
　　工业自动化设备中的高功率负载控制，如电加热系统、高压泵和风机控制，也是该器件的典型应用领域。