类型：整流二极管
　　最大重复峰值反向电压：1000V
　　最大正向平均整流电流：1A
　　峰值正向浪涌电流：30A
　　正向压降：1.7V（最大值）
　　反向漏电流：5uA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）

US1M二极管采用SMA表面贴装封装，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性，适用于高密度PCB设计。其高反向耐压能力（1000V）使其能够在高电压应用中可靠工作。此外，器件的最大正向电流为1A，能够满足中等功率的整流需求。US1M具备较强的抗浪涌能力，可承受高达30A的瞬时电流，从而提高了系统的可靠性。该器件的正向压降较低，有助于降低功耗并提高整流效率。
　　在材料和制造方面，US1M采用了高质量的硅半导体材料，确保了良好的电气性能和长期稳定性。其封装材料具有良好的阻燃性能（符合UL94-V0标准），提高了在高温环境下的安全性。此外，该器件的低漏电流特性使其在高阻抗电路中表现出色，减少了不必要的能量损耗和电路干扰。

US1M常用于开关电源、适配器、逆变器、电池充电器和LED驱动电路中的整流环节。在这些应用中，该器件负责将交流电转换为直流电，确保电源系统的稳定运行。由于其高耐压能力和紧凑的SMA封装，它也广泛应用于消费电子、工业控制设备和汽车电子系统中的反向电流保护电路。此外，US1M还可用于信号检测、电压钳位和电路隔离等通用二极管应用场景。
　　在电源设计中，US1M的高浪涌电流承受能力使其能够应对开机时的瞬态电流冲击，从而延长系统的使用寿命。在LED照明系统中，该器件可作为整流桥的一部分，为LED提供稳定的直流电源。同时，由于其优异的反向漏电流特性，US1M在高精度模拟电路中也可用作隔离二极管，以防止信号干扰。

US1J, US1G, HER108