CMP100N03 时间：2025/6/28 15:14:48 阅读：4

CMP100N03是一种高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其电压等级为30V，适用于多种中低压应用环境。
　　这款MOSFET特别适合需要高效能和小体积解决方案的设计项目，同时它的封装形式通常为SOT-23或TO-252等小型化封装，便于在紧凑型电路板上进行布局和安装。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：100A
　　导通电阻：3mΩ
　　总功耗：76W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

CMP100N03具备以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功率损耗。
　　2. 快速开关能力，支持高频操作，适合开关电源和DC-DC转换器。
　　3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
　　4. 小型化的封装设计，节省PCB空间，满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
　　5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下也能稳定运行。
　　6. 良好的热性能，有助于提升整体系统的散热效率。

应用

CMP100N03适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器和逆变器的核心元件。
　　3. 电机驱动电路中的开关器件。
　　4. 电池保护电路. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
　　6. 汽车电子系统中的各种开关应用，如启动马达控制、照明系统等。