IRLR3636TRLPBF 时间：2025/7/18 19:24:08 阅读：1

IRLR3636TRLPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关和DC-DC转换器等电子电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻和优异的开关性能。该MOSFET采用TSSOP封装，适用于空间受限的电路设计，并且符合RoHS环保标准。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：40A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为8.3mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TSSOP

特性

IRLR3636TRLPBF 具有多个显著的性能特点。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。这对于需要高效率的电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路尤为重要。
　　其次，该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，使得在高频应用中也能保持较低的开关损耗。这对于高频开关电源和逆变器来说是一个关键优势。
　　此外，IRLR3636TRLPBF 的最大漏极电流可达40A，适用于需要高电流承载能力的应用。其栅极驱动电压范围宽广，可在±20V范围内工作，增加了设计的灵活性。
　　该器件的TSSOP封装不仅节省空间，还提高了热性能，使得在高功率密度应用中也能有效散热。同时，其工作温度范围广泛，可在-55°C至175°C之间稳定工作，适用于严苛的工业和汽车环境。
　　最后，IRLR3636TRLPBF 符合RoHS标准，无铅环保，适合现代电子设备对环保的要求。

应用

IRLR3636TRLPBF MOSFET广泛应用于多个领域。其最常见的应用之一是DC-DC转换器，用于电信设备、服务器电源和工业控制系统中的高效电源管理。此外，该器件也常用于同步整流器，以提高电源转换效率。
　　在电机控制方面，IRLR3636TRLPBF 可用于电动工具、电动车和工业自动化设备中的功率开关。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为电机驱动电路的理想选择。
　　另外，该MOSFET还适用于电池管理系统（BMS），用于电动汽车和储能系统中的电池充放电控制。其优异的开关性能和热稳定性确保了在高负载条件下的可靠运行。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、LED照明驱动和车载充电器等应用，满足汽车环境对高可靠性和宽温度范围的要求。