型号：MLF3225E101KT000
　　制造商：TDK
　　封装尺寸：3.2 x 2.5 x 2.0 mm
　　阻抗频率：100 MHz
　　标称阻抗：100 Ω ±25%
　　直流电阻（DCR）：典型值0.35 Ω，最大值0.5 Ω
　　额定电流：500 mA（温度降额条件下）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　耐压：50 V DC 最大
　　磁芯材料：镍锌（NiZn）铁氧体
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端电极结构：Ag/Pd内电极，Sn镀层外电极

MLF3225E101KT000具备出色的高频噪声抑制能力，其核心优势在于在宽频范围内提供稳定的高阻抗特性。在100 MHz时，其标称阻抗为100 Ω，且在25 MHz至500 MHz的频段内阻抗曲线平缓，表现出良好的宽带滤波性能，特别适用于高速数字信号线、时钟线路和射频前端电路中的共模噪声抑制。
　　该器件采用多层陶瓷工艺制造，内部由多个铁氧体层与金属内电极交替堆叠而成，形成一个三维螺旋电感结构，这种结构不仅提高了单位体积内的电感量和阻抗值，还增强了磁场自屏蔽能力，减少了对外部元件的电磁耦合影响。此外，多层结构有助于降低寄生电容，提升自谐振频率（SRF），使其能够在更高频率下保持电感主导特性而非电容性。
　　另一个显著特点是其低直流电阻（DCR），典型值仅为0.35 Ω，这确保了在通过500 mA工作电流时产生的电压降和功率损耗极小，避免了因压降过大导致的系统供电不稳定问题。即使在高温环境下长期运行，也能维持可靠的电气性能。同时，器件具有良好的热稳定性，材料的居里点较高，防止在温升过程中出现磁导率骤降现象。
　　MLF3225E101KT000还具备优异的机械强度和焊接可靠性，符合RoHS指令要求，并支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。其Sn镀层端子与常见焊料具有良好润湿性，降低了虚焊风险。整体结构坚固，能承受一定的机械应力和热循环冲击，适用于汽车电子、工业设备等严苛环境下的EMI对策应用。

该磁珠广泛应用于各类需要高效EMI抑制的电子系统中。常见于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于USB、HDMI、MIPI等高速数据接口的噪声滤波，防止高频干扰通过电缆辐射出去或进入敏感电路模块。
　　在通信设备领域，MLF3225E101KT000常被用于基站模块、无线路由器和蓝牙/Wi-Fi射频前端电路中，作为RF供电线路的去耦元件，隔离来自电源路径的开关噪声，保障射频信号的纯净度和接收灵敏度。此外，在数字逻辑电路中，例如微处理器、FPGA和ASIC的I/O引脚或电源入口处，该磁珠可用于构建π型或L型滤波网络，提升系统的抗干扰能力。
　　工业控制系统和汽车电子也是其重要应用场景。在车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和ECU单元中，该器件帮助满足严格的CISPR 25和ISO 7637等电磁兼容标准，抑制由DC-DC转换器、电机驱动器等产生的传导噪声。其宽温工作能力和高可靠性使其能在-40°C至+125°C的恶劣环境中稳定运行。此外，在医疗电子设备中，为确保信号采集精度和患者安全，也常使用此类高性能磁珠进行信号路径净化。

BLM31PG101SN1D