类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92 或 TO-18
　　增益（hFE）：在Ic=2 mA, Vce=5 V时典型值为100至800（根据具体后缀字母不同而变化）
　　频率响应：典型过渡频率（fT）为100 MHz至250 MHz
　　最大噪声系数：通常为3 dB（典型值）

2N4171晶体管在高频电子应用中表现出色，主要特性包括：
　　1. 高频响应：该晶体管具有较高的过渡频率（fT），适用于高频放大和射频信号处理，能够在100 MHz以上的频率范围内有效工作。
　　2. 低噪声系数：在射频接收电路中，2N4171的低噪声特性有助于提高信号的清晰度和稳定性，使其成为前置放大器的理想选择。
　　3. 良好的电流放大能力：其hFE值范围较宽，可以根据具体需求选择不同增益等级的晶体管，满足多样化的电路设计需求。
　　4. 稳定的工作性能：在高频应用中，2N4171表现出良好的稳定性，能够承受一定的电压和电流波动而不影响其工作状态。
　　5. 多种封装形式：该晶体管有TO-92和TO-18两种常见封装形式，便于在不同的电路板设计中使用，适应性强。
　　6. 热稳定性：晶体管的热稳定性较好，能够在高温环境下正常工作，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。

2N4171晶体管由于其优异的高频性能和低噪声特性，广泛应用于多个电子领域，包括：
　　1. 射频放大器：用于无线通信设备中的射频信号放大，提高接收信号的强度和清晰度。
　　2. 高频振荡器：在射频发生器和信号发生器中，2N4171可作为高频振荡器的核心元件，产生稳定的高频信号。
　　3. 前置放大器：在音频和射频系统中，作为前置放大器以提高信号的增益，减少后续电路的噪声干扰。
　　4. 混频器和调制器：在通信系统中，2N4171可用于混频和调制电路，实现信号的频率转换和处理。
　　5. 传感器放大电路：在需要高灵敏度和低噪声的传感器电路中，该晶体管可用于放大微弱信号，提高系统的检测精度。
　　6. 工业控制电路：在工业自动化设备中，2N4171可用于信号放大和控制电路，确保设备的稳定运行。

2N4172, 2N4170, 2N4401