时间：2025/8/7 13:21:13
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NTMFS5C670NL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和快速开关特性。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术制造，能够在高频率和高电流条件下提供优异的性能，适用于诸如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：100A（在 25°C 时）
RDS(on)：最大 0.95mΩ（在 VGS = 10V 时）
栅极电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热片
NTMFS5C670NL 的主要特性包括极低的导通电阻 RDS(on)，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其先进的沟槽式设计不仅提高了电流处理能力，还优化了热性能，使得该器件能够在高负载条件下稳定运行。
此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，适用于多种栅极驱动器设计。
NTMFS5C670NL 还具备良好的热稳定性，采用 PowerPAK SO-8 封装，双散热片结构显著提高了散热效率，从而延长了器件的使用寿命并提高了可靠性。
该 MOSFET 的高耐用性和出色的电气性能使其成为工业电源、汽车电子、服务器电源和高功率 DC-DC 转换器等领域的理想选择。
NTMFS5C670NL 广泛应用于各种高功率密度和高效率的电源系统中，包括但不限于：
? DC-DC 转换器
? 同步整流器
? 负载开关
? 功率因数校正（PFC）电路
? 服务器和通信设备电源
? 工业电机控制
? 电池管理系统
? 汽车电子系统（如车载充电器和 DC-DC 转换器）
由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适合用于高频开关电源设计，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
SiZ600DT, NTD70N03R, FDS6680, IPB013N04LG, NVMFS5C670NL
