时间：2025/6/24 0:01:02
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IRLR2905ZTRPBF 是一款来自英飞凌（Infineon）的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适合在高效率电源转换、电机驱动以及负载切换等应用中使用。
该型号特别设计用于需要低损耗和高性能的应用场景，其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够有效降低热阻并提高散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极阈值电压：1.7V 至 2.7V
功耗：54W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRLR2905ZTRPBF 具有非常低的导通电阻，使其成为高效能开关应用的理想选择。
该器件支持高频率操作，并且具备出色的抗雪崩能力。由于采用了先进的 Trench MOSFET 技术，它的 Qg（栅极电荷）较低，从而减少了开关损耗。
此外，该产品还具备 ESD 保护功能以提高可靠性，同时拥有良好的热稳定性和耐受短路的能力。
其小型化封装 TO-252 提供了更大的设计灵活性，非常适合空间受限的设计环境。
该功率 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
DC-DC 转换器
同步整流
电池管理
电机控制
负载切换
便携式设备中的电源管理
汽车电子系统中的各种开关电路
IRLR2906ZTRPBF
IRLZ24N
AO3400A
