时间：2025/8/14 23:01:35
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BD560YS 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统。BD560YS 采用小型表面贴装封装（通常为 SOP 或 DFN 封装），具备良好的热性能和电流承载能力，适用于需要紧凑设计和高效能的电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.065Ω（在 Vgs=10V）
功耗（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP 或 DFN
BD560YS 具备低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其高电流容量和良好的热稳定性使其适用于高负载应用。
该 MOSFET采用先进的硅工艺技术，确保了在高频率开关应用中的稳定性和可靠性。
BD560YS 的封装设计优化了热管理，能够有效散热，适合在紧凑型电路板上使用。
此外，该器件具备良好的抗静电能力和过热保护特性，增强了其在复杂工作环境下的耐用性。
由于其高性能和小型化设计，BD560YS 在便携式设备和高密度电源系统中具有广泛的应用前景。
BD560YS 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器、电源管理系统和电池供电设备。它也适用于需要高效能和小型化设计的工业自动化设备、通信电源和消费类电子产品。
Si2302DS, FDS6680, IRF7409, BSC010N03LS
