型号：TM400PZ-M
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：16 A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：64 A
　　功耗（PD）：150 W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18 Ω（最大值，@ VGS=10V, ID=8A）
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF（@ VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：370 pF（@ VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 ℃ ~ +150 ℃
　　封装类型：TO-220

TM400PZ-M具备多项关键特性，使其成为中高功率开关应用中的理想选择。首先，其400V的额定漏源电压使得该器件适用于多种离线式电源拓扑结构，如反激变换器、正激变换器及LLC谐振转换器等，能够在高压输入环境下稳定工作。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on) max 0.18Ω），这意味着在导通状态下产生的I2R损耗较小，有助于提高电源转换效率并减少散热需求，尤其在大电流负载条件下优势更为明显。此外，得益于东芝先进的沟槽栅极技术，TM400PZ-M实现了更高的单位面积载流能力，同时降低了栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），从而显著改善了开关速度并减少了开关过程中的动态损耗。
　　另一个重要特性是其出色的热性能表现。TO-220封装本身具备较大的金属背板，可以直接连接到散热器以实现高效的热量传导，确保长时间高负荷运行时结温保持在安全范围内。此外，该器件的工作结温可达+150°C，表明其可在较严苛的环境温度下持续运行，适用于工业级应用场景。在可靠性方面，TM400PZ-M通过了严格的品质认证测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及高湿度高偏压测试（H3TRB），确保在复杂电磁环境和恶劣气候条件下的长期稳定性。
　　该器件还具备一定的抗雪崩能力，能够在突发电压尖峰或感性负载关断过程中吸收一定量的能量而不发生永久性损坏，提升了系统安全性。同时，较低的输入和输出电容（Ciss=1300pF, Coss=370pF）使其更适合高频开关应用，减小了驱动电路的负担，并有利于实现更高频率的PWM控制。综上所述，TM400PZ-M凭借其高耐压、低导通阻抗、优良的热管理和可靠的工艺设计，成为众多电源和功率控制系统中的优选器件。

TM400PZ-M主要应用于各类需要高效功率开关控制的电子设备中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器、服务器电源和工业电源模块中作为主开关管或同步整流管使用。在这些应用中，其400V的耐压能力和低RDS(on)特性可以有效支持宽范围交流输入（如90V~264V AC）下的稳定工作，并实现高能效转换。此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中，特别是在中等功率等级（100W~500W）的电源设计中，配合控制器IC完成高效的电压调节功能。
　　在电机驱动领域，TM400PZ-M可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件，实现正反转控制与调速功能。由于其具备快速开关响应和较强的电流承载能力，能够满足电机启动瞬间的大电流冲击需求，并在持续运行中保持较低温升。此外，在UPS不间断电源、逆变器以及太阳能充电控制器等新能源相关设备中，该MOSFET也可承担能量传输路径中的核心开关角色。
　　工业自动化设备中的电磁阀驱动、继电器替代电路以及LED恒流驱动电源同样是TM400PZ-M的重要应用方向。在这些场景中，器件的高可靠性和长寿命尤为重要。另外，由于其封装形式为标准TO-220，便于手工焊接与维护，因此也被广泛应用于原型开发、教学实验平台以及维修替换场合。总体而言，TM400PZ-M适用于所有要求高效率、高稳定性和良好热管理的中高压功率开关应用。

TK400PZ-M
　　STP16NF40
　　IRF740BPBF
　　FQP40N40