ATF-501P8-BLKG 是由 Analog Devices(ADI)公司推出的一款低噪声、高动态范围的砷化镓(GaAs)场效应晶体管(FET)放大器。该器件采用8引脚表面贴装封装,工作频率范围覆盖从直流到6 GHz,非常适合用于无线通信、射频测试设备和宽带放大器应用中。ATF-501P8-BLKG 采用 E-pHEMT(增强型伪高电子迁移率晶体管)工艺制造,具有出色的线性度和增益平坦度,同时支持宽电源电压范围供电,提高了设计的灵活性。
类型:砷化镓增强型pHEMT FET放大器
频率范围:DC~6 GHz
增益:约18 dB @ 2 GHz
噪声系数:约0.45 dB @ 2 GHz
输出IP3:约29 dBm @ 2 GHz
电源电压:3.0 V~5.5 V
电源电流:典型值60 mA
封装类型:8引脚表面贴装(SOT-89-8)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
ATF-501P8-BLKG 具备多个显著特性,使其在射频和无线通信系统中表现出色。首先,其工作频率范围覆盖从直流到6 GHz,适用于多种高频应用,包括蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙、GPS以及无线基础设施设备。其次,该放大器具有低噪声系数(约0.45 dB),可有效提升接收机系统的灵敏度,从而提高整体性能。
此外,ATF-501P8-BLKG 的增益高达18 dB,并且在整个工作频率范围内具有良好的增益平坦度,确保信号在不同频段下的稳定性。其输出三阶交调截距(IP3)为29 dBm,显示出良好的线性度,适用于需要高动态范围的系统。
该器件支持3.0 V~5.5 V宽电源电压范围,设计灵活,可适配多种电源管理方案。典型工作电流为60 mA,功耗较低,适合电池供电设备。采用8引脚SOT-89-8封装,具有良好的热管理和空间利用率。
最后,ATF-501P8-BLKG 具有高可靠性和宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适合工业级和汽车级应用场景。
ATF-501P8-BLKG 主要用于高性能射频前端设计,包括无线基站、微波通信设备、测试与测量仪器、宽带放大器模块以及卫星通信系统等。由于其低噪声、高线性和宽频率响应特性,也常被用于软件定义无线电(SDR)、无线传感器网络和物联网(IoT)设备中的射频接收链路中。
在蜂窝通信系统中,该器件可用于提升基站和用户设备之间的信号质量,增强数据传输速率和连接稳定性。在测试设备中,ATF-501P8-BLKG 可作为前置放大器,提高测试精度和灵敏度。此外,它还可用于雷达、医疗成像设备和其他高精度射频系统的信号放大环节。
HMC414, BGA2707, ATF-54143