H11L1M是一款光电耦合器,主要用于信号隔离。它采用GaAsP发光二极管和硅光电晶体管进行耦合,具有高耐压、高绝缘电阻和良好的共模抑制比等特性。
该器件广泛应用于工业控制、通信设备、家用电器以及计算机接口等领域,能够有效防止噪声干扰并保护后续电路。
封装:DIP-4
工作温度范围:-55℃至+125℃
隔离电压:3750Vrms(min)
电流传输比(CTR):50% to 300%(典型值,在IF=5mA,VCE=5V条件下)
输入LED正向电压(VF):1.2V(typ)@If=20mA
输出集电极-发射极击穿电压(VCEO):80V(min)
上升时间(tr):6μs(max)
下降时间(tf):4μs(max)
H11L1M采用了先进的光电耦合技术,确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
1. 高隔离电压使其能够在强电磁干扰环境下正常工作。
2. 较宽的工作温度范围适应多种应用场景。
3. 典型的电流传输比保证了信号的高效传递。
4. 快速的响应时间满足大多数高速数字电路的需求。
此外,由于其小型化封装设计,便于在紧凑空间内使用,同时具备较长的使用寿命。
H11L1M主要应用于需要信号隔离的场景中,例如:
- 工业自动化控制系统中的输入/输出隔离
- 开关电源中的反馈信号隔离
- 家用电器如洗衣机、空调等内部电路板之间的信号传递
- 医疗设备中的安全隔离设计
- 计算机外设接口的抗干扰处理
总之,任何需要电气隔离以提高系统可靠性的场合都可以考虑使用该光电耦合器。
H11A1M,H11L1