SK75TAA08 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用先进的高压制程技术制造,具备高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性。SK75TAA08 主要适用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机控制以及各种高功率开关应用。其封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK,便于散热并适应高电流负载。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大漏极电流(Id):75A(在Tc=25°C时)
导通电阻(Rds(on)):典型值为 0.115Ω(最大0.145Ω)
栅极电荷(Qg):约 120nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220、D2PAK
SK75TAA08 的关键特性之一是其高达 800V 的漏源电压能力,使其非常适合用于高电压电源转换应用。该器件具有较低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,其高电流承载能力(可达 75A)确保了在大功率负载下的稳定运行。
该 MOSFET 内部采用了优化的晶圆设计和先进的封装技术,提供了优异的热管理和可靠性。其快速开关特性减少了开关损耗,适合用于高频开关电路,如开关电源(SMPS)、逆变器和电机驱动器。
SK75TAA08 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行,提高系统的整体可靠性。此外,其栅极驱动电压范围宽广(通常为 10V 至 15V),便于与各种类型的驱动电路兼容。
SK75TAA08 主要应用于高功率开关电路中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高耐压和低导通电阻特性,该 MOSFET 非常适合用于高电压输入的电源转换系统,例如太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统和电动汽车充电设备。在消费类电子产品中,SK75TAA08 也可用于高性能电源管理单元,如电视电源、LED 照明驱动器等。
此外,该器件还广泛应用于电机控制和电磁负载驱动系统中,如空调压缩机、洗衣机电机和工业电机控制模块。其高可靠性和热稳定性使其在高温和恶劣环境下也能稳定运行。
STW75N80Z, IPW75N80CFD, FCP75N80