时间：2025/9/14 12:27:56
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BUK6D120-40EX是一款由NXP Semiconductors制造的功率MOSFET晶体管，属于高性能的功率开关器件。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。BUK6D120-40EX采用TO-220AB封装，适用于高功率密度设计。该MOSFET为N沟道类型，具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高电流和高电压环境下稳定工作。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：40A
漏源电压（VDS）：120V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散（PD）：160W
BUK6D120-40EX具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中的低功耗和高效率。该MOSFET的高耐压能力（VDS=120V）使其适用于各种中高功率应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。此外，其TO-220AB封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。此外，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更大的驱动灵活性，确保在各种驱动条件下都能稳定工作。
BUK6D120-40EX还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。其设计优化了开关速度与导通损耗之间的平衡，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET的封装结构提供了良好的绝缘性能，确保在高温和高湿度环境下也能可靠运行。
BUK6D120-40EX广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、工业自动化设备、电池管理系统以及汽车电子系统。在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效能电源开关，提供稳定的电压和电流控制。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减小电路尺寸。在电机控制应用中，该器件可提供高电流开关能力，实现对电机速度和扭矩的精确控制。此外，在汽车电子系统中，BUK6D120-40EX适用于电池管理和电动助力转向系统等关键应用，确保高可靠性和长使用寿命。
IPB045N10N5ATMA1, FDP40N12AL
