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IRLR120ATF 发布时间 时间:2025/7/9 10:39:43 查看 阅读:4

IRLR120ATF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于高频开关应用。其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
  IRLR120ATF广泛应用于计算机、通信设备、消费电子、工业控制等领域的电源管理电路中,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池保护等场景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:58A
  最大栅源电压:±8V
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:6nC
  开关时间:ton=9ns,toff=14ns
  结温范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRLR120ATF是一款高度优化的功率MOSFET,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流应用中减少功耗并提升效率。
  2. 快速的开关性能,支持高频工作,从而减小滤波器尺寸和系统体积。
  3. 高温稳定性,适用于极端环境下的工业和汽车应用。
  4. 兼容低电压逻辑电路的栅极驱动,降低了设计复杂度。
  5. 小型化封装设计有助于节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的严格要求。

应用

IRLR120ATF由于其优异的性能和可靠性,可广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑结构。
  3. 各种电机驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  4. 负载开关和电池保护电路。
  5. 便携式设备中的高效功率管理方案。
  6. 工业自动化设备中的功率级控制组件。

替代型号

IRLR120APBF, IRLR120ATPPBF

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IRLR120ATF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 4.2A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)