IRLR120ATF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于高频开关应用。其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
IRLR120ATF广泛应用于计算机、通信设备、消费电子、工业控制等领域的电源管理电路中,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池保护等场景。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:58A
最大栅源电压:±8V
导通电阻:3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:6nC
开关时间:ton=9ns,toff=14ns
结温范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-252 (DPAK)
IRLR120ATF是一款高度优化的功率MOSFET,具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够在高电流应用中减少功耗并提升效率。
2. 快速的开关性能,支持高频工作,从而减小滤波器尺寸和系统体积。
3. 高温稳定性,适用于极端环境下的工业和汽车应用。
4. 兼容低电压逻辑电路的栅极驱动,降低了设计复杂度。
5. 小型化封装设计有助于节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的严格要求。
IRLR120ATF由于其优异的性能和可靠性,可广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑结构。
3. 各种电机驱动应用,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. 便携式设备中的高效功率管理方案。
6. 工业自动化设备中的功率级控制组件。
IRLR120APBF, IRLR120ATPPBF