晶体管类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级划分）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

BC857BT/R具有多个电流增益等级（hFE），包括hFE等级为110-800的不同版本，适用于不同的放大需求。其高过渡频率（fT）达到250 MHz，使其在高频应用中表现出色，例如射频放大和高速开关电路。
　　该晶体管的低功耗特性使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。SOT-23封装不仅节省空间，还提高了组装效率，适用于自动化生产流程。
　　此外，BC857BT/R的稳定性和可靠性使其成为工业控制、通信设备和消费电子产品中的常用元件。该器件在极端温度环境下仍能保持良好性能，适应范围广泛的应用场景。

BC857BT/R主要用于放大器电路、开关电路和数字逻辑电路。例如，在音频放大器中，它可以用于前置放大级，提高信号的增益和稳定性。在开关电路中，该晶体管可用于控制负载的通断，例如LED驱动、继电器控制和电机控制。
　　由于其高频响应特性，BC857BT/R也适用于射频电路和无线通信设备中的信号放大。在数字电路中，该晶体管可以用于构建逻辑门和缓冲器，提高电路的响应速度和驱动能力。
　　此外，该器件还广泛应用于传感器接口电路、电源管理模块和嵌入式系统中，为各种电子设备提供稳定可靠的性能。

BC847BTH, BC847C, BC857BTH, BC857C