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IRLML6346TRPBF 发布时间 时间:2025/6/6 12:36:17 查看 阅读:3

IRLML6346TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沃特 (N-Channel) 增强型功率 MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,适用于低电压应用场合,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
  这款 MOSFET 通常用于需要高效率和紧凑设计的场景,例如便携式设备、电池管理系统、负载切换以及 DC-DC 转换器等。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:3.7A
  导通电阻(典型值,在 Vgs=10V 时):9mΩ
  栅极-源极开启电压:1.8V
  最大功耗:570mW
  结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOIC-8

特性

IRLML6346TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压,非常适合使用单节锂电池供电的应用。
  3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
  4. 小尺寸 SOIC-8 封装,节省 PCB 空间。
  5. 高可靠性设计,能够在较宽的温度范围内稳定工作。

应用

IRLML6346TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的负载切换和电源管理。
  2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
  3. 电池保护和管理系统。
  4. 小功率电机驱动和控制。
  5. 开关模式电源(SMPS)中的初级或次级侧开关元件。
  由于其低导通电阻和低驱动电压需求,该器件特别适合在电池供电的设备中使用,以延长电池寿命并提高整体效率。

替代型号

IRLML6344TRPBF, IRLML6345TRPBF

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IRLML6346TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.9nc @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 24V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML6346TRPBFTR