时间：2025/5/8 14:57:55
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FQPF12N60C是一种基于硅(Si)技术的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于Fairchild（现为ON Semiconductor）公司旗下的功率MOSFET产品系列。该器件采用N沟道增强型设计，适用于高频开关和功率转换应用。其高击穿电压（600V）、低导通电阻和优异的开关特性，使其成为工业、汽车以及消费类电子领域中的理想选择。
该器件通常用于电源管理电路、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：13.6A
导通电阻（Rds(on)）：250mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
栅极电荷：47nC（典型值）
输入电容：1980pF（典型值）
功耗：435W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQPF12N60C具有以下显著特性：
1. 高电压耐受能力，支持高达600V的工作电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻，在大电流条件下可以有效减少功率损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，能够适应高频开关应用需求，减少开关损耗。
4. 优化的热性能，能够在较高的结温下稳定运行。
5. 提供多种封装选项以满足不同的安装需求，例如TO-247或DPAK等封装形式。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得该器件在要求高效能、高可靠性的应用中表现卓越。
FQPF12N60C广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
2. 电机控制：
- 无刷直流电机驱动
- 步进电机驱动
3. 工业设备：
- 逆变器
- 焊接设备
4. 汽车电子：
- 车载充电器
- 发电机调节器
此外，该器件还常用于各种需要高效功率切换的应用场景。
IRFP460,
FQP17N60,
STP17NF60,
IXFN60N15T2
